XS3A1T3157GMX

XS3A1T3157GMX Nexperia Микросхема:

• Тип микросхемы: Биполярный транзистор
• Количество полупроводниковых элементов: 1
• Монтаж: SOT886 (пакетик), XSON6 (пакетик)

Основные параметры:

• Номинальное напряжение базы-эмиттера: 5 В
• Номинальная мощность: 1 Вт
• Ток при переходе: 2 А
• Предел частоты: 400 МГц

Плюсы:

• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к перегреву
• Малый размер и легкость монтажа благодаря различным типам пакетиков

Минусы:

• Высокая чувствительность к внешним воздействиям
• Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от скачков напряжения

Общее назначение:

• Усилитель сигналов
• Переключатель
• Регулятор напряжения

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы
• Инверторы
• Системы питания
• Радиоприемники
• Мобильные устройства