Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ZXMHC10A07N8TC
  • В избранное
  • В сравнение
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC
;
ZXMHC10A07N8TC

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    ZXMHC10A07N8TC
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMHC10A07N8TC при покупке от 1 шт 234.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMHC10A07N8TC с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC DIODES INCORPORATED MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Количество каналов: 2N/2P (двойной канал)
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Форм-фактор: 8-SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый динамический ток сопротивления (RD(on))
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии на проводимость в режиме насыщения
    • Требуется дополнительная схема для защиты от переувлажнения
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
    • Переключение высокочастотных сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы питания и регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMHC10A07N8TC

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA, 680mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    138pF @ 60V
  • Рассеивание мощности
    870mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMHC10A07

Техническая документация

 ZXMHC10A07N8TC.pdf
pdf. 0 kb
  • 2054 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    234 ₽
  • 10
    196 ₽
  • 50
    166 ₽
  • 500
    121 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    ZXMHC10A07N8TC
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMHC10A07N8TC при покупке от 1 шт 234.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMHC10A07N8TC с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC DIODES INCORPORATED MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Количество каналов: 2N/2P (двойной канал)
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Форм-фактор: 8-SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый динамический ток сопротивления (RD(on))
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии на проводимость в режиме насыщения
    • Требуется дополнительная схема для защиты от переувлажнения
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
    • Переключение высокочастотных сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы питания и регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMHC10A07N8TC

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA, 680mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    138pF @ 60V
  • Рассеивание мощности
    870mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMHC10A07

Техническая документация

 ZXMHC10A07N8TC.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF9395MTRPBFТранзистор: DIRECTFET DUAL P-CHANNEL POWER M
    736Кешбэк 110 баллов
    IRF7509TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
    339Кешбэк 50 баллов
    BSC0911NDATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
    444Кешбэк 66 баллов
    BSL316CH6327XTSA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
    83Кешбэк 12 баллов
    BSC0924NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
    285Кешбэк 42 балла
    IPG20N06S4L26ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
    291Кешбэк 43 балла
    IRF9362TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
    222Кешбэк 33 балла
    IRF7907TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
    268Кешбэк 40 баллов
    BSG0811NDATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
    447Кешбэк 67 баллов
    IPG20N10S4L35ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    340Кешбэк 51 балл
    IRF7341TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
    235Кешбэк 35 баллов
    IRF7319TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    311Кешбэк 46 баллов
    2N7002DWH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
    54Кешбэк 8 баллов
    IPG20N04S412AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    274Кешбэк 41 балл
    IRF7389TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    263Кешбэк 39 баллов
    IRF8915TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
    97Кешбэк 14 баллов
    IRF7309TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
    208Кешбэк 31 балл
    IPG20N10S436AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
    348Кешбэк 52 балла
    IPG20N06S2L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
    364Кешбэк 54 балла
    BSZ215CHXTMA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
    348Кешбэк 52 балла
    IPG20N06S2L35ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
    355Кешбэк 53 балла
    BSL308PEH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
    121Кешбэк 18 баллов
    BSG0810NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
    493Кешбэк 73 балла
    IPG16N10S4L61AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
    340Кешбэк 51 балл
    IPG20N04S4L07AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    416Кешбэк 62 балла
    IPG20N06S4L14AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
    348Кешбэк 52 балла
    BSZ15DC02KDHXTMA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON
    254Кешбэк 38 баллов
    IPG20N10S4L22ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    397Кешбэк 59 баллов
    IPG20N06S2L50AATMA1Транзистор
    322Кешбэк 48 баллов
    IPG20N10S4L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
    364Кешбэк 54 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП