Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMHC10A07N8TC
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMHC10A07N8TC при покупке от 1 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMHC10A07N8TC с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ZXMHC10A07N8TC

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA, 680mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    138pF @ 60V
  • Рассеивание мощности
    870mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMHC10A07
Техническая документация
 ZXMHC10A07N8TC.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 23143 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    317 ₽
  • 10
    211 ₽
  • 100
    141 ₽
  • 1000
    102 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMHC10A07N8TC
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMHC10A07N8TC при покупке от 1 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMHC10A07N8TC с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ZXMHC10A07N8TC

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA, 680mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    138pF @ 60V
  • Рассеивание мощности
    870mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMHC10A07
Техническая документация
 ZXMHC10A07N8TC.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9K29-100E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
    891Кешбэк 133 балла
    STL7DN6LF3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
    312Кешбэк 46 баллов
    IRF9358TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
    250Кешбэк 37 баллов
    SI7949DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    432Кешбэк 64 балла
    DMG6968UTS-13Транзистор
    144Кешбэк 21 балл
    ZXMP6A18DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
    397Кешбэк 59 баллов
    FDMC8200SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
    241Кешбэк 36 баллов
    TPS1120DRТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
    623Кешбэк 93 балла
    IRFHM792TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
    190Кешбэк 28 баллов
    BSO350N03Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
    321Кешбэк 48 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    319Кешбэк 47 баллов
    AUIRF7341QTRТранзистор: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
    278Кешбэк 41 балл
    MCH6605-TL-EТранзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
    38Кешбэк 5 баллов
    EMH2604-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8
    73Кешбэк 10 баллов
    SH8J66TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
    492Кешбэк 73 балла
    SIZ918DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    446Кешбэк 66 баллов
    PMDPB56XNEAXТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6
    131Кешбэк 19 баллов
    RJK0216DPA-00#J53Транзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    343Кешбэк 51 балл
    BUK7K18-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    NVJD4401NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
    124Кешбэк 18 баллов
    PMDPB56XN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
    49Кешбэк 7 баллов
    IRF7324TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
    321Кешбэк 48 баллов
    FDMC7208SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33
    304Кешбэк 45 баллов
    NTMD6P02R2GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
    286Кешбэк 42 балла
    SSM6L61NU,LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
    128Кешбэк 19 баллов
    NTHD3102CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
    290Кешбэк 43 балла
    CSD87312Q3EТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
    277Кешбэк 41 балл
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    DMN53D0LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    53Кешбэк 7 баллов
    NTLLD4951NFTWGТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
    270Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП