SiC-MOSFET-реле OMRON G3VH для высоковольтных систем до 3300 В

SiC-MOSFET-реле OMRON G3VH для высоковольтных систем до 3300 В

Развитие силовой электроники, систем накопления энергии и электрического транспорта требует применения компонентов, способных надежно работать при напряжениях свыше 1000 В. Именно для таких задач компания OMRON разработала серию твердотельных реле G3VH, построенных на базе карбидокремниевых MOSFET-транзисторов (SiC-MOSFET).

В ассортименте Эиком представлены современные электронные компоненты, позволяющие создавать компактные, энергоэффективные и безопасные высоковольтные устройства. Серия G3VH ориентирована на применение в оборудовании, где важны высокая скорость коммутации, увеличенный срок службы и устойчивость к тяжелым условиям эксплуатации.

Конструкция, ориентированная на надежность

Главной особенностью реле G3VH является использование двух SiC-MOSFET, включенных по схеме Back-to-Back. Такое решение обеспечивает надежное отключение тока независимо от направления его протекания, что особенно важно для высоковольтных цепей постоянного тока.

Устройства выпускаются в компактном шестиконтактном корпусе DIP и оснащаются оптически изолированным драйвером управления. Оптическая развязка исключает проникновение высокого напряжения в цепи управления, повышая безопасность контроллеров PLC, систем управления батареями (BMS) и другого электронного оборудования.

Благодаря отсутствию механических контактов реле не подвержены искрообразованию, механическому износу и деградации, характерным для традиционных герконовых решений.

Основные технические характеристики

Серия включает две модификации, рассчитанные на различные условия эксплуатации.

OMRON G3VH-331:

  • максимальное рабочее напряжение – 3300 В;
  • постоянный ток нагрузки – до 300 мА;
  • пусковой ток – до 900 мА;
  • сопротивление открытого канала – около 3,5 Ом.

OMRON G3VH-181:

  • рабочее напряжение – до 1800 В;
  • постоянный ток нагрузки – 30 мА;
  • импульсный ток – до 80 мА;
  • сопротивление канала – около 120 Ом.

Обе модели имеют нормально разомкнутые контакты (SPST-NO, тип 1a), поддерживают поверхностный (SMD) и выводной (THT) монтаж, а также отличаются высокой скоростью переключения: время включения составляет 1–2 мс, а отключения – около 0,2 мс.

Технические характеристики реле OMRON G3VH

ПараметрOMRON G3VH-331OMRON G3VH-181
Тип устройстваТвердотельное SiC-MOSFET-релеТвердотельное SiC-MOSFET-реле
Максимальное рабочее напряжение3300 В1800 В
Постоянный ток нагрузки300 мА30 мА
Пиковый (пусковой) ток900 мА80 мА (импульсный)
Сопротивление в открытом состоянии3,5 Ом120 Ом
Время включения1–2 мс1–2 мс
Время выключения0,2 мс0,2 мс
Схема контактовSPST-NO (тип 1a)SPST-NO (тип 1a)
Конфигурация силовых ключейBack-to-Back SiC-MOSFETBack-to-Back SiC-MOSFET
Оптическая изоляцияЕстьЕсть
Тип корпуса6-контактный DIP6-контактный DIP
Варианты монтажаSMD, THTSMD, THT
Основные области примененияВысоковольтные системы, ESS, электромобили, промышленные приводы, ATEИспытательное оборудование, BMS, промышленная автоматика, высоковольтные цепи

Почему карбид кремния становится новым стандартом

Применение SiC-технологии обеспечивает заметные преимущества по сравнению с традиционными кремниевыми компонентами. Карбид кремния обладает широкой запрещенной зоной, благодаря чему транзисторы выдерживают значительно более высокие температуры, демонстрируют устойчивость к большим значениям dV/dt и имеют существенно меньшие коммутационные потери. Это позволяет уменьшить тепловыделение, повысить общий КПД оборудования и сократить размеры систем охлаждения.

Дополнительным преимуществом является высокая электрическая прочность, позволяющая использовать реле в установках сверхвысокого напряжения без снижения надежности.

Где применяются реле серии G3VH

Высоковольтные SiC-MOSFET-реле находят применение в самых разных отраслях современной промышленности. Они используются в оборудовании автоматизированного тестирования (ATE), где необходимы быстрые циклы коммутации и высокая повторяемость измерений.

Кроме того, серия подходит для:

  • тяговых систем электротранспорта;
  • аккумуляторных батарей высокого напряжения;
  • промышленных приводов;
  • фотоэлектрических инверторов;
  • ветроэнергетических установок;
  • систем накопления энергии (ESS);
  • испытательных высоковольтных стендов.

Во всех этих направлениях особенно востребованы высокая надежность, компактность и длительный срок службы компонентов.

Итоги

Серия OMRON G3VH демонстрирует преимущества применения карбидокремниевой технологии в современных высоковольтных системах. Использование SiC-MOSFET, двунаправленной схемы Back-to-Back и оптической изоляции позволяет создать компактные твердотельные реле с высокой электрической прочностью, быстрым переключением и продолжительным ресурсом работы. Для разработчиков промышленной автоматики, энергетического оборудования и электротранспорта такие компоненты становятся эффективной альтернативой традиционным электромеханическим и герконовым реле, обеспечивая повышение надежности и эффективности всей системы.