Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные

Транзисторы - IGBT - одиночные

Сбросить фильтр
Популярные

Транзисторы - IGBT - одиночные

Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.

Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
  • максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
  • время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.

Применение одиночных IGBT транзисторов

Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:

  • преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
  • системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
  • электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
  • индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.

Интеграция и использование

При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.

Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.

Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП