Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Карты памяти, Модули
Модули памяти

Модули памяти

Сбросить фильтр
Популярные
MT41K256M16TW-107:P

Micron

MT41K256M16TW-107:P
Микросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

19786 шт - 3-6 недель

766 ₽

1 шт — 766 ₽

10 шт — 714 ₽

MT41K256M16TW-093:P

Micron

MT41K256M16TW-093:P
Микросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

15044 шт - 3-6 недель

643 ₽

1 шт — 643 ₽

10 шт — 600 ₽

MT41K512M8DA-107:P

Micron Technology Inc.

MT41K512M8DA-107:P
Микросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

11325 шт - 3-6 недель

1 756 ₽

1 шт — 1 756 ₽

10 шт — 1 632 ₽

MT41K512M8DA-107 IT:P

Micron

MT41K512M8DA-107 IT:P
Микросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

3804 шт - 3-6 недель

1 067 ₽

1 шт — 1 067 ₽

10 шт — 977 ₽

MT41K512M8DA-093:P

Micron

MT41K512M8DA-093:P
Микросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

2191 шт - 3-6 недель

697 ₽

1 шт — 697 ₽

10 шт — 653 ₽

MTA8ATF1G64AZ-3G2R1

Micron

MTA8ATF1G64AZ-3G2R1
MODULE DDR4 SDRAM 8GB 288UDIMM

201 шт - 3-6 недель

23 502 ₽

1 шт — 23 502 ₽

10 шт — 20 477 ₽

MTA16ATF2G64AZ-2G6E1

MICRON TECHNOLOGY

MTA16ATF2G64AZ-2G6E1
MODULE DDR4 16GB UDIMM

198 шт - 3-6 недель

792 300 ₽

100 шт — 7 923 ₽

78.C2GF4.4010B

Apacer Memory America

78.C2GF4.4010B
8GB DDR4 SDRAM SO-DIMM

174 шт - 3-6 недель

28 419 ₽

1 шт — 28 419 ₽

10 шт — 26 164 ₽

A4D16QB8BNWEME

ATP Electronics, Inc.

A4D16QB8BNWEME
MODULE DDR4 SDRAM 16GB 288-UDIMM

157 шт - 3-6 недель

25 534 ₽

1 шт — 25 534 ₽

10 шт — 23 524 ₽

VL41A2G63A-N8SC-S1

Virtium LLC

VL41A2G63A-N8SC-S1
16GB 2GX72 DDR4 SO-UDIMM PC4-266

127 шт - 3-6 недель

39 082 ₽

1 шт — 39 082 ₽

10 шт — 35 959 ₽

MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

MICRON TECHNOLOGY

MTA8ATF1G64HZ-3G2R1
MODULE DDR4 SDRAM 8GB 260SODIMM

100 шт - 3-6 недель

4 032 400 ₽

100 шт — 40 324 ₽

MTA16ATF4G64AZ-3G2F1

Micron Technology Inc.

MTA16ATF4G64AZ-3G2F1
MODULE DDR4 SDRAM 32GB 288UDIMM

98 шт - 3-6 недель

37 949 ₽

1 шт — 37 949 ₽

10 шт — 34 930 ₽

MTA8ATF2G64HZ-3G2F1

MICRON

MTA8ATF2G64HZ-3G2F1
MODULE DDR4 SDRAM 16GB 260SODIMM

71 шт - 3-6 недель

16 964 ₽

1 шт — 16 964 ₽

5 шт — 15 920 ₽

MTA4ATF51264AZ-3G2E1

Micron

MTA4ATF51264AZ-3G2E1
MODULE DDR4 SDRAM 4GB 288UDIMM

49 шт - 3-6 недель

9 002 ₽

1 шт — 9 002 ₽

10 шт — 8 105 ₽

7MP4045S45Z

IDT, Integrated Device Technology Inc

7MP4045S45Z
256K X 32 BICMOS/SRAM MODULE
SQR-SD3I-4G1K6SNLB

Advantech

SQR-SD3I-4G1K6SNLB
MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
78.D2GF6.4010B

Apacer Memory America

78.D2GF6.4010B
16GB DDR4 SDRAM SO-DIMM
MT41K512M16HA-125:A

Alliance Memory, Inc.

MT41K512M16HA-125:A
Микросхема: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
7MPV4163S10M

IDT, Integrated Device Technology Inc

7MPV4163S10M
256K X 32 3.3V SRAM MODULE
VR7PU286458FBAMJT

Viking Technology

VR7PU286458FBAMJT
MODULE DDR3 SDRAM 1GB 204SODIMM

Модули памяти

Модули памяти: цифровая плоть электронных устройств

В мире, где вычислительная мощь стала универсальной валютой, модули памяти выполняют роль фундаментального актива. Это не просто пассивные компоненты для хранения битов и байтов; это динамичная, высокоскоростная среда, которая определяет ритм работы всего устройства, будь то сервер, обрабатывающий миллионы запросов, или умные часы, плавно анимирующие интерфейс. Их важность невозможно переоценить: даже самый производительный процессор будет простаивать в беспомощном ожидании, если подсистема памяти не сможет вовремя подвозить ему данные для вычислений. Именно пропускная способность и задержки оперативной памяти зачастую становятся тем узким местом, которое раскрывает или, наоборот, ограничивает потенциал всей платформы. Выбор правильного модуля — это не просто покупка компонента с определенным объемом; это стратегическое решение, влияющее на отзывчивость системы, энергоэффективность и способность справляться с параллельными задачами.

Эволюция этих компонентов — это гонка за синхронизацией с постоянно растущим аппетитом процессоров. Каждое новое поколение стандарта DDR — это не просто прирост мегагерц, а комплексный ответ на запросы архитекторов вычислительных систем, требующих большей эффективности при меньшем энергопотреблении. Современные модули представляют собой результат decades-летней оптимизации, где каждая линия на печатной плате, каждая адресная команда и схема терминации тщательно выверены для минимизации ошибок и максимизации скорости. Их роль трансформировалась от простого буфера до интеллектуального участника процесса, взаимодействующего с контроллером памяти по сложным протоколам для предсказания и предзагрузки данных, что делает их одной из самых технологически насыщенных частей любой электронной сборки.

Модуль оперативной памяти UDIMM для настольных компьютеров, установленный на белом фоне

От килобайт к гигагерцам: эволюция архитектуры запоминающих устройств

История модулей памяти — это яркая иллюстрация закона Мура, примененного не к транзисторам, а к скорости доступа к информации. Все началось с отдельных микросхем DRAM, которые разработчикам вручную впаивали в материнские платы первых персональных компьютеров. Прорывом стало появление модулей SIMM (Single In-line Memory Module), которые объединили несколько чипов на одной планке с однорядным расположением контактов, радикально упростив сборку и модернизацию. Однако настоящая революция произошла с переходом на архитектуру DIMM (Dual In-line Memory Module) и появлением синхронного интерфейса SDRAM. Ключевым отличием стала синхронизация работы памяти с тактовой частотой системной шины, что позволило отказаться от асинхронных задержек и предсказуемо планировать циклы обмена данными.

Последующее развитие пошло по пути удвоения эффективной скорости передачи данных без увеличения тактовой частоты (DDR), а затем и по пути усложнения внутренней банковой организации, внедрения схем коррекции ошибок (ECC) и буферизации адресных линий. Каждое поколение DDR приносило не только более высокие частоты, но и снижение рабочего напряжения, что напрямую влияло на тепловыделение и энергопотребление всей системы. Современные стандарты, такие как DDR5 и LPDDR5, довели эту концепцию до совершенства, разделив питание и внедрив встроенные схемы управления питанием (PMIC) прямо на модуль, а также значительно увеличив предварительную выборку и разбив банки на независимые группы. Это уже не просто память, а сложная подсистема, самостоятельно управляющая своими ресурсами для максимальной эффективности.

Ландшафт современных решений: от серверов до носимой электроники

Разнообразие современных модулей памяти отражает широту областей их применения, диктующую уникальные требования к форм-фактору, производительности и надежности. Наиболее распространенным типом для настольных ПК являются небуферизованные модули UDIMM — доступное решение с минимальной задержкой, но без коррекции ошибок. Для критически важных рабочих станций и серверов обязательны модули RDIMM (Registered DIMM), которые используют специальный регистр для буферизации адресных и командных сигналов, что позволяет устанавливать значительно больший объем памяти и повышает стабильность системы. Еще более надежный вариант — LRDIMM (Load Reduced DIMM) — применяет буферизацию и для линий данных, максимально разгружая контроллер памяти в многопроцессорных конфигурациях с огромным количеством установленных планок.

Отдельный огромный сегмент — это память для мобильных и компактных устройств. Модули SO-DIMM, с их уменьшенными габаритами, доминируют в ноутбуках, моноблоках и compact-PC. Однако настоящим технологическим чудом являются чипы памяти в корпусах BGA, которые паяются непосредственно на материнскую плату смартфонов, планшетов и ультрабуков. Для них разработаны специальные стандарты LPDDR (Low Power DDR), жертвующие возможностью апгрейда ради беспрецедентной энергоэффективности и минимального физического размера. Помимо этого, существуют специализированные решения, такие как память с расширенным температурным диапазоном для промышленной и автомобильной электроники, а также стекированные модули, объединяющие в одном корпусе память и процессор, что открывает новые горизонты для миниатюризации интернета вещей (IoT) и носимой электроники.

Модули памяти: цифровая память современной электроники

В мире, где каждое устройство стремится стать умнее и быстрее, модули памяти выполняют критически важную роль — они являются хранилищем всей оперативной информации. Без них невозможна работа ни одного вычислительного процесса, от простейшей команды в микроволновой печи до сложнейших расчетов в серверных кластерах. Эти компоненты являются временным рабочим пространством для процессора, и их скорость, объем и надежность напрямую определяют быстродействие и стабильность всей системы. Понимание их функций выходит за рамки простой установки в компьютер; это ключ к оптимизации бесчисленного множества электронных устройств, окружающих нас в повседневной жизни и в промышленности.

Практические сценарии применения модулей памяти невероятно разнообразны. В быту мы сталкиваемся с ними, когда наш смартфон мгновенно переключается между десятком открытых приложений — это работает оперативная память (RAM). В автомобиле модули памяти входят в состав бортового компьютера, обеспечивая работу цифровой панели приборов, навигационной системы и помощников вроде круиз-контроля. В медицинской отрасли отказоустойчивая память критически важна для работы диагностического оборудования: МРТ- и КТ-сканеры обрабатывают гигантские массивы данных в реальном времени, и малейшая ошибка может привести к некорректным результатам. Промышленные программируемые логические контроллеры (ПЛК), управляющие конвейерными линиями и роботизированными манипуляторами, также rely на специализированные модули ОЗУ и ПЗУ для бесперебойного выполнения алгоритмов. Даже ваша игровая консоль или Smart-TV используют высокоскоростную память для плавного отображения графики и быстрой загрузки контента.

Различные типы модулей памяти: планки DDR для настольных ПК, модули для ноутбуков и серверов

Эволюция технологий: от килобайт к гигабайтам

История развития модулей памяти — это наглядная иллюстрация закона Мура в действии. Она началась с простых односторонних модулей SIMM (Single In-line Memory Module), которые можно было встретить в компьютерах конца 80-х и которые измеряли свой объем килобайтами. На смену им пришли более совершенные двухсторонние модули DIMM (Dual In-line Memory Module), ставшие отраслевым стандартом для настольных систем и серверов. Настоящий прорыв совершила технология DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory), которая позволила передавать данные дважды за один такт, удваивая эффективную пропускную способность. Каждое новое поколение — DDR2, DDR3, DDR4 и теперь DDR5 — не просто увеличивало частоту, но и кардинально снижало энергопотребление и напряжение, что особенно важно для мобильных и центров обработки данных.

Параллельно развивались и другие форматы. Для мобильных устройств и тонкой электроники был создан компактный стандарт SO-DIMM (Small Outline DIMM). Технологии eMMC (embedded MultiMediaCard) и UFS (Universal Flash Storage) стали стандартом для встроенной памяти в смартфонах и планшетах, объединяя на одном кристалле и контроллер, и флеш-память. Для задач, требующих максимальной надежности и предсказуемой скорости доступа, например, в aerospace или телекоммуникационном оборудовании, применяются модули с коррекцией ошибок (ECC), которые самостоятельно находят и исправляют сбои, предотвращая corruption данных. Это постоянное технологическое соревнование привело к появлению огромного количества разновидностей, каждая из которых оптимизирована под конкретные задачи и условия эксплуатации.

Как выбрать правильный модуль памяти

Выбор подходящего модуля памяти — это не просто поиск совместимой планки. Это стратегическое решение, влияющее на производительность и срок службы устройства. Первый и главный фактор — это тип и поколение (DDR3, DDR4, DDR5). Они физически и электрически несовместимы. Далее необходимо убедиться в совпадении форм-фактора: для полноразмерных ПК — DIMM, для ноутбуков и компактных систем — SO-DIMM. Ключевым параметром является объем: для офисных задач хватит 4-8 ГБ, для игр и монтажа видео рекомендуется 16-32 ГБ, а для рабочих станций и серверов — 64 ГБ и более. Однако один объем без скорости — ничего не значит. На нее указывает частота (в МГц) и тайминги (задержки, например, CL16). Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее память.

Для критически важных систем обязательна опция ECC (Error-Correcting Code). Не менее важен и производитель чипов — от этого зависит стабильность и разгонный потенциал. Стоит обращать внимание и на бренд самого модуля: известные вендоры проводят строгий контроль качества и тестирование на совместимость. Нельзя игнорировать и радиаторы охлаждения, особенно для высокочастотных комплектов, работающих под постоянной нагрузкой. Правильно подобранная память раскроет потенциал процессора и материнской платы, в то время как несовместимый или некачественный модуль станет причиной сбоев, синих экранов и нестабильной работы.

Преимущества покупки модулей памяти в Эиком Ру

Выбирая модули памяти в нашем магазине, вы получаете не просто деталь, а гарантированно рабочее решение для вашего проекта. Мы формируем один из самых полных ассортиментов на рынке электронных компонентов, куда входят как массовые модули DDR для персональных компьютеров, так и специализированные решения с ECC для серверного оборудования, промышленные форматы и карты памяти для встраиваемых систем. Каждая позиция в каталоге проходит тщательную проверку и имеет официальные гарантии от производителей, что исключает риски приобретения контрафактной или бракованной продукции. Мы понимаем, что стоимость компонентов — важная часть бюджета, поэтому предлагаем конкурентные цены и гибкие условия для оптовых покупателей и постоянных клиентов. И конечно, мы заботимся о удобстве доставки: для всех заказов действует бесплатная отправка по всей территории Российской Федерации, чтобы вы могли получить необходимые компоненты быстро и без лишних затрат, где бы вы ни находились.

Рекомендуемые товары

Все товары
Рекомендуемые товары
    Silicon Power
    SP256GISDT351NE0MEM CARD MICROSDHC 3DTLC 256GB
    26 105Кешбэк 3 915 баллов
    Apacer Memory America
    78.C2GCY.4030C8GB DDR3 1333 1.35V SO-DIMM 512X
    30 721Кешбэк 4 608 баллов
    Swissbit
    SFSA032GU3AA4TO-I-DB-226-STDSSD 32GB MSATA SLC SATA III 3.3V
    67 057Кешбэк 10 058 баллов
    Micron
    MT4KTF25664HZ-1G9P1MODULE DDR3L SDRAM 2GB 204SODIMM
    12 096Кешбэк 1 814 баллов
    Silicon Power
    SP064GIMDC555SV0SSD M.2 2280 SATA3 PSLC 64GB
    23 069Кешбэк 3 460 баллов
    Swissbit
    SFCA240GH3AA2TO-C-OC-226-STDMEMORY CARD CFAST 240GB MLC
    66 626Кешбэк 9 993 балла
    SWISSBIT
    SFPC120GM1EC4TO-I-5E-516-STDINDUSTRIAL M.2 PCIE SSD, N-20M2
    20 193Кешбэк 3 028 баллов
    Virtium LLC
    VSFB25XI120G-1502.5" 7MM SATA-III 6GB
    76 951Кешбэк 11 542 балла
    Swissbit
    SFCF016GH1AF2TO-I-GS-52P-STDMEM CF CARD 16GB FLASH PSLC
    24 557Кешбэк 3 683 балла
    SWISSBIT
    SFSA016GQ1BJ8TO-I-DT-226-STDSSD 16GB 2.5" SLC SATA II 5V
    54 864Кешбэк 8 229 баллов
    Virtium
    VSFCM4CI120G120GB,M.2 (2242), 3.3V,CE,3D TLC
    16 949Кешбэк 2 542 балла
    Flexxon Pte Ltd
    FDMM016GME-1004FXPRO I (HIGHIOPS) MICROSD 16GB
    5 959Кешбэк 893 балла
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП