Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Популярные
HSG2001VF-01TL-E

Renesas Electronics Corporation

HSG2001VF-01TL-E
Транзистор: NPN HIGH FREQPOWER AMP

468000 шт - 3-6 недель

55 158 ₽

634 шт — 87 ₽

SS9018HBU-FS

Fairchild Semiconductor

SS9018HBU-FS
Транзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA

347226 шт - 3-6 недель

58 230.6 ₽

7869 шт — 7.4 ₽

CPH6074-TL-E

onsemi

CPH6074-TL-E
Транзистор: TRANSISTOR

292700 шт - 3-6 недель

55 920 ₽

699 шт — 80 ₽

BFR92PE6530HTSA1

Infineon Technologies

BFR92PE6530HTSA1
Транзистор: RF LOW-NOISE SI TRANSISTOR

251968 шт - 3-6 недель

56 592 ₽

2358 шт — 24 ₽

BFP450

Infineon Technologies

BFP450
Транзистор: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

118871 шт - 3-6 недель

54 528 ₽

1136 шт — 48 ₽

12A02SS-TL-E

onsemi

12A02SS-TL-E
Транзистор: BIP PNP 0.8A 12V

104000 шт - 3-6 недель

57 757 ₽

3122 шт — 18.5 ₽

BFP196WH6740

Infineon Technologies

BFP196WH6740
Транзистор: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN

99000 шт - 3-6 недель

55 982 ₽

1217 шт — 46 ₽

NSVF3007SG3T1G

onsemi

NSVF3007SG3T1G
Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH

81000 шт - 3-6 недель

118 400 ₽

4000 шт — 29.6 ₽

15C02SS-TL-E

onsemi

15C02SS-TL-E
Транзистор: TRANSISTOR

64000 шт - 3-6 недель

59 983 ₽

5453 шт — 11 ₽

2SC2620QCTR-E

Renesas Electronics Corporation

2SC2620QCTR-E
Транзистор: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

52500 шт - 3-6 недель

56 567.5 ₽

1331 шт — 42.5 ₽

NSVMMBTH81LT3G

onsemi

NSVMMBTH81LT3G
Транзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

38083 шт - 3-6 недель

70 ₽

1 шт — 70 ₽

100 шт — 38 ₽

BFR750L3RHE6327

Infineon Technologies

BFR750L3RHE6327
Транзистор: RF BIPOLAR TRANSISTOR

36420 шт - 3-6 недель

56 028 ₽

644 шт — 87 ₽

UPA901TU-T3-A

Renesas Electronics Corporation

UPA901TU-T3-A
Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

30000 шт - 3-6 недель

55 596 ₽

246 шт — 226 ₽

BFR92PE6327HTSA1

Infineon Technologies

BFR92PE6327HTSA1
Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

21507 шт - 3-6 недель

57 ₽

1 шт — 57 ₽

100 шт — 27.5 ₽

NESG2021M16-T3-A

Renesas Electronics Corporation

NESG2021M16-T3-A
Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

19220 шт - 3-6 недель

55 348 ₽

404 шт — 137 ₽

BFR460L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

BFR460L3E6327XTMA1
Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1

16429 шт - 3-6 недель

96 ₽

1 шт — 96 ₽

25 шт — 61 ₽

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFR183E6327HTSA1
Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

16411 шт - 3-6 недель

37 ₽

1 шт — 37 ₽

25 шт — 22.6 ₽

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFR193E6327HTSA1
Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

14290 шт - 3-6 недель

35 ₽

1 шт — 35 ₽

25 шт — 20.6 ₽

MT3S111TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111TU,LF
Транзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

12000 шт - 3-6 недель

171 000 ₽

3000 шт — 57 ₽

9000 шт — 54 ₽

BFR93AE6327HTSA1

Infineon Technologies

BFR93AE6327HTSA1
Транзистор: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3

10455 шт - 3-6 недель

48 ₽

1 шт — 48 ₽

25 шт — 29.4 ₽

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ более 0 товаров. Цены и наличие

Биполярные транзисторы ВЧ являются продукцией, востребованной для разных отраслей. Заказ продукции может быть интересен физическим лицам, компаниям, производителям техники. Транзисторы BJT нужны для выполнения задач при условии сверхвысоких либо высоких частот.

Если схемы действуют в диапазоне от единиц до десятков мегагерц, потребности комплектующих значительно повышаются. Повышенные требования к компонентам присутствуют по паразитной емкости и точности параметров. Через наш интернет-магазин обеспечиваются поставки ВЧ транзисторов биполярных от ряда известных производителей. Предлагаются разные конфигурации: 2 NPN, PNP, NPN, предполагающие расположение на поверхности платы или в отверстия.

Особенности биполярных транзисторов ВЧ

Передовую продукцию изготавливают с использованием компонентов нового поколения. Обеспечивается высокая мощность продукции, доступны модели с высокими частотами, в том числе для синтезаторов частот, оборонного направления, работы с напряжением. Оборудование оптимизировано и настроено для усиления сигналов всех типов. В категории доступна широкая номенклатура.

Использование

Транзисторы биполярные (BJT) — ВЧ, представленные в каталоге, используются достаточно широко.

Покупка будет актуальна для:

  • транзисторных модулей, встроенных в телевизионные или связанные радиопередатчики;
  • формирования усилительных трактов;
  • радаров специального или гражданского назначения;
  • радиолюбительской аппаратуры;
  • медицинской техники.

Характеристики

Модули и устройства способны работать при частотах от 1,5 до 3500 МГЦ, все зависит от модели. Точные данные расписаны на каждое предложение. Мощность также значительно колеблется, она может быть 0,5-700 Вт.

Для ВЧ транзисторов характерны отменные характеристики по повторяемости параметров, надежности, формированию нужных коэффициентов усиления. Также они имеют хороший КПД и линейность усиления.

Немалая доля продукции получает корпуса из металлокерамики, иногда дополнительно присутствует золотая металлизация. Температурные показатели перехода достигают 200 градусов Цельсия. Стоит выделить небольшое тепловое сопротивление, примерно на уровне 0,11°С/Вт.

Совместимость

Выбирать транзисторы стоит с изучением данных от изготовителя, допустимых температур, силы тока и прочего. Это позволит получить оптимальное решение под поставленные задачи.

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ (Дискретные полупроводники)

Высокочастотные биполярные транзисторы: Моторы современной связи

В мире, где скорость передачи данных имеет решающее значение, высокочастотные биполярные транзисторы (BJT) выступают в роли фундаментальных строительных блоков. В отличие от своих низкочастотных собратьев, эти компоненты оптимизированы для эффективной работы в диапазонах от сотен мегагерц до нескольких гигагерц, где малейшие паразитные ёмкости и индуктивности могут свести на нет работу всей схемы. Именно они позволяют усиливать слабый сигнал мобильного телефона, захватывать спутниковую трансляцию, обеспечивать стабильную работу Wi-Fi роутера и радаров автомобиля. Их ценность заключается в способности точно и быстро управлять электронными сигналами на предельных для традиционных технологий скоростях, что делает их незаменимыми в RF-трактах (радиочастотных каскадах) самого разного оборудования, от профессиональных измерительных приборов до массовых потребительских устройств.

От лабораторных экспериментов к глобальным сетям

Эволюция ВЧ-BJT — это история непрерывной миниатюризации и борьбы с физическими ограничениями. Ранние разработки в области полупроводников быстро столкнулись с проблемой: стандартные транзисторы вели себя непредсказуемо на высоких частотах из-за эффекта Миллера и конечного времени пролёта носителей заряда через базу. Ответом стала разработка технологий, направленных на сокращение толщины базовой области и минимизацию паразитных ёмкостей p-n-переходов. Появление планарных и, позднее, эпитаксиальных структур позволило создавать приборы с граничной частотой усиления (fT) в десятки гигагерц. Сегодня современные ВЧ-транзисторы изготавливаются по технологиям, таким как кремний-германий (SiGe), которая обеспечивает ещё более высокую подвижность носителей, или используют арсенид галлия (GaAs) для достижения максимальных частотных характеристик. Эта технологическая гонка напрямую питает прогресс в телекоммуникациях, позволяя разворачивать сети 5G и развивать стандарты спутниковой связи.

Ключевые параметры для инженерного выбора

Подбор правильного ВЧ-транзистора напоминает тонкую настройку высокоточного инструмента. Инженеру-схемотехнику или радиолюбителю необходимо анализировать несколько взаимосвязанных параметров, выходящих далеко за рамки простого коэффициента усиления. Граничная частота (fT) и частота максимального усиления (fmax) определяют верхний предел работоспособности прибора. Шумовые свойства, выражаемые коэффициентом шума (NF), критически важны для входных каскадов приёмников, где определяют чувствительность всей системы. Мощность рассеяния и выходная мощность (Pout) диктуют, сможет ли транзистор работать в выходном каскаде передатчика. Не менее важны S-параметры (рассеяния), которые описывают поведение компонента в высокочастотной цепи и необходимы для моделирования и согласования импедансов. Ориентация лишь на один параметр может привести к неработоспособности проекта, поэтому выбор всегда является комплексной задачей.

Высокочастотные биполярные транзисторы в различных корпусах (SOT-23, SOT-323, SOT-523)

Где они заставляют технологии работать

Практические применения ВЧ-BJT окружают нас повсюду. В вашем смартфоне они отвечают за усиление сигнала в цепях GSM, 4G/5G модема и модулей GPS/ГЛОНАСС. В домашнем интернет-оборудовании — усиливают сигнал в Wi-Fi-роутерах и точках доступа, обеспечивая стабильное покрытие. В автомобилестроении они являются сердцем радарных датчиков систем адаптивного круиз-контроля и экстренного торможения, работая в миллиметровом диапазоне волн. Любители и профессионалы также ценят их: в радиолюбительских трансиверах, измерительных генераторах сигналов (RF-сигнал-генераторах), спектр-анализаторах и системах видеонаблюдения, передающих сигнал по радиоканалу. Даже в медицинской технике, например, в портативных УЗИ-аппаратах, требуются высокоскоростные усилители, построенные на основе надёжных ВЧ-транзисторов.

На что смотреть при выборе компонента

Приобретая высокочастотный биполярный транзистор, сфокусируйтесь на задачах вашего проекта. Для малошумящих усилителей (LNA) первичным критерием будет минимальный коэффициент шума (NFmin) и соответствующее ему входное сопротивление. Для гетеродинов и смесителей ключевое значение имеет стабильность параметров и низкий уровень фазового шума. В выходных каскадах передатчиков мощность рассеяния и выходная мощность выходят на первый план. Всегда проверяйте корпус компонента: компактные SOT-323, SOT-23 или ещё более миниатюрные SC-70 и SC-75 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и критичны к технологии пайки, в то время как устаревшие корпуса TO-92 могут иметь худшие частотные свойства из-за длинных выводов. Внимательное изучение даташита и диаграмм рабочих характеристик сэкономит часы отладки готового устройства.

Почему покупатели выбирают «Эиком Ру»

Заказ электронных компонентов — это всегда вопрос доверия к поставщику. «Эиком Ру» предлагает не просто каталог, а комплексное решение для профессионалов и энтузиастов. Наш обширный складской ассортимент высокочастотных биполярных транзисторов включает продукцию ведущих мировых брендов и проверенных производителей, что позволяет подобрать компонент как для серийного производства, так и для единичного прототипа. Мы тщательно контролируем подлинность и качество каждой партии, защищая ваши проекты от контрафакта. Гибкие условия сотрудничества, конкурентные цены и оперативная обработка заказов дополняются ключевым преимуществом — бесплатной доставкой по всей территории России для вашего удобства. С «Эиком Ру» вы получаете не просто деталь, а уверенность в результате и экономию самого ценного ресурса — времени.

Рекомендуемые товары

Все товары
Рекомендуемые товары
    Nexperia USA Inc.
    BZV55-B33,115Диод: DIODE ZENER 33V 500MW LLDS
    39Кешбэк 5 баллов
    Panjit International Inc.
    MMSZ5237A_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    20.3Кешбэк 3 балла
    Infineon Technologies
    BCP49H6419XTMA1TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223-4
    29.6Кешбэк 4 балла
    onsemi
    SMMBT2369ALT1GТранзистор: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    76Кешбэк 11 баллов
    Comchip Technology
    KBPC3510W-GДиод: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-W
    2 136Кешбэк 320 баллов
    Microchip Technology
    JANTX1N4099UR-1Диод: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO213AA
    1 818Кешбэк 272 балла
    Vishay Siliconix
    SIHFR9310-GE3MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    218Кешбэк 32 балла
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
    MYS125BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    49Кешбэк 7 баллов
    onsemi
    NSVMUN5132T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TK35E08N1,S1XMOSFET N-CH 80V 55A TO220
    290Кешбэк 43 балла
    onsemi
    DCB010-TB-ERECTIFIER DIODE
    87Кешбэк 13 баллов
    Wolfspeed
    CGHV38375FТранзистор: 400W 50V GAN HEMT, 2.75-3.75GHZ
    213 424Кешбэк 32 013 баллов
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП