Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
NSVMMBTH81LT3G
  • В избранное
NSVMMBTH81LT3G

NSVMMBTH81LT3G транзистор биполярный (BJT) - ВЧ, PNP, 20В, 600МГц, 225мВт, 50мА

  • В избранное
NSVMMBTH81LT3G
NSVMMBTH81LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBTH81LT3G
  • Описание:
    ВЧ биполярный транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 20 В, максимальный ток коллектора (Ic) 50 мА, корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Все характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 8.8 ₽/шт, купить NSVMMBTH81LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 59875 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена с НДС
  • 1
    59 ₽
  • 100
    23 ₽
  • 1000
    15 ₽
  • 5000
    11.6 ₽
  • 20000
    8.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка

Характеристики

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20V
  • Трансформация частоты
    600MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

Транзистор NSVMMBTH81LT3G производства ON Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Пакет: SOT-23
    • Максимальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 20В
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству ON Semiconductor.
    • Устойчивость к перегреву.
    • Малый размер корпуса (SOT-23), что позволяет экономить место на печатной плате.
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент усиления (β) может ограничивать его применение в некоторых высокопроизводительных схемах.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками при использовании источников питания.
    • Изменение состояния цепей.
    • Регулировка уровня напряжения или тока.
  • Применение в устройствах:
    • Системы управления двигателем.
    • Автомобильные электронные системы.
    • Промышленное оборудование.
    • Электронные устройства бытовой техники.

Альтернативные маркировки

  • 488-NSVMMBTH81LT3GCT-ND
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП