NSVMMBTH81LT3G транзистор биполярный (BJT) - ВЧ, PNP, 20В, 600МГц, 225мВт, 50мА

Транзистор NSVMMBTH81LT3G производства ON Semiconductor

• Основные параметры:
  • Тип: PNP
  • Пакет: SOT-23
  • Максимальное напряжение вCollector-Emitter (V_CEO): 20В
• Плюсы:
  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству ON Semiconductor.
  • Устойчивость к перегреву.
  • Малый размер корпуса (SOT-23), что позволяет экономить место на печатной плате.
• Минусы:
  • Низкий коэффициент усиления (β) может ограничивать его применение в некоторых высокопроизводительных схемах.
• Общее назначение:
  • Управление нагрузками при использовании источников питания.
  • Изменение состояния цепей.
  • Регулировка уровня напряжения или тока.
• Применение в устройствах:
  • Системы управления двигателем.
  • Автомобильные электронные системы.
  • Промышленное оборудование.
  • Электронные устройства бытовой техники.