Вход/Регистрация
bd137
Найдено: 16bd137 в разделе: Одиночные биполярные транзисторы8
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
ON SEMICONDUCTOR
864 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 203 ₽
- 10 шт - 129 ₽
- 250 шт - 77 ₽
- 1000 шт - 67 ₽
203 ₽
- от 1 шт — 203 ₽
- от 10 шт — 129 ₽
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
ON SEMICONDUCTOR
114 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 218 ₽
- 10 шт - 123 ₽
- 60 шт - 96 ₽
- 300 шт - 78 ₽
- 1020 шт - 73 ₽
218 ₽
- от 1 шт — 218 ₽
- от 10 шт — 123 ₽
- По запросу
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
- По запросу
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
- По запросу
bd137 в разделе: Микросхемы синхронизации и тайминга4
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,63 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,63 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,46 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,46 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Страница