Вход/Регистрация
bd137
Найдено: 16bd137 в разделе: Одиночные биполярные транзисторы8
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
ONSEMI
3565 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 217 ₽
- 10 шт - 137 ₽
- 500 шт - 65 ₽
- 5000 шт - 62 ₽
217 ₽
- от 1 шт — 217 ₽
- от 10 шт — 137 ₽
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
onsemi
2173 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 226 ₽
- 60 шт - 102 ₽
- 540 шт - 72 ₽
- 2040 шт - 60 ₽
226 ₽
- от 1 шт — 226 ₽
- от 60 шт — 102 ₽
- По запросу
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
- По запросу
Биполярный транзистор: максимальный ток коллектора (Ic) 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60 В, обратный ток коллектора (Max) 100 нА (ICBO)
- По запросу
bd137 в разделе: Микросхемы синхронизации и тайминга4
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,63 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,63 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,46 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Тактовая микросхема: максимальная частота 200 МГц, напряжение питания 1,71…3,46 В, корпус 32-VFQFN с открытой площадкой, поверхностный монтаж (SMD)
- По запросу
Страница