Вход/Регистрация
soic
Найдено: 375soic в разделе: Адаптеры, Макетные платы35
Макетная плата: количество позиций 8, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
939 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 387 ₽
387 ₽
- от 1 шт — 387 ₽
Макетная плата: количество позиций 8, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
SparkFun
340 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 695 ₽
695 ₽
- от 1 шт — 695 ₽
Макетная плата: количество позиций 16, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
1518 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 758 ₽
758 ₽
- от 1 шт — 758 ₽
Макетная плата: количество позиций 20, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
772 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 869 ₽
869 ₽
- от 1 шт — 869 ₽
Макетная плата: количество позиций 8, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
744 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 646 ₽
646 ₽
- от 1 шт — 646 ₽
soic в разделе: Транзисторы - JFET44
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 8 пФ @ 15 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 50 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
5000 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 3 099 ₽
- 10 шт - 1 364 ₽
- 100 шт - 934 ₽
- 2500 шт - 753 ₽
3 099 ₽
- от 1 шт — 3 099 ₽
- от 10 шт — 1 364 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
4466 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 3 779 ₽
- 10 шт - 1 859 ₽
- 100 шт - 1 413 ₽
- 2500 шт - 1 144 ₽
3 779 ₽
- от 1 шт — 3 779 ₽
- от 10 шт — 1 859 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
3669 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 3 779 ₽
- 10 шт - 1 859 ₽
- 100 шт - 1 413 ₽
- 2500 шт - 1 144 ₽
3 779 ₽
- от 1 шт — 3 779 ₽
- от 10 шт — 1 859 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
95 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 2 358 ₽
- 95 шт - 1 239 ₽
- 190 шт - 1 155 ₽
- 570 шт - 1 070 ₽
2 358 ₽
- от 1 шт — 2 358 ₽
- от 95 шт — 1 239 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
78 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 2 358 ₽
- 95 шт - 1 239 ₽
- 190 шт - 1 155 ₽
- 570 шт - 1 070 ₽
2 358 ₽
- от 1 шт — 2 358 ₽
- от 95 шт — 1 239 ₽