Вход/Регистрация
soic
Найдено: 368soic в разделе: Адаптеры, Макетные платы35
Макетная плата: количество позиций 8, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
410 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 377 ₽
377 ₽
- от 1 шт — 377 ₽
Макетная плата: количество позиций 8, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
SparkFun
340 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 676 ₽
676 ₽
- от 1 шт — 676 ₽
Макетная плата: количество позиций 8, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
1111 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 629 ₽
629 ₽
- от 1 шт — 629 ₽
Макетная плата: количество позиций 16, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
926 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 738 ₽
738 ₽
- от 1 шт — 738 ₽
Макетная плата: количество позиций 20, материал стеклотекстолит FR4, тип макетной платы переходник SMD — DIP, поддерживаемые корпуса элементов SOIC
Chip Quik Inc.
726 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 846 ₽
846 ₽
- от 1 шт — 846 ₽
soic в разделе: Транзисторы - JFET44
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 8 пФ @ 15 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 50 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
5000 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 3 017 ₽
- 10 шт - 1 328 ₽
- 100 шт - 909 ₽
- 2500 шт - 733 ₽
3 017 ₽
- от 1 шт — 3 017 ₽
- от 10 шт — 1 328 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
4466 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 3 679 ₽
- 10 шт - 1 810 ₽
- 100 шт - 1 376 ₽
- 2500 шт - 1 114 ₽
3 679 ₽
- от 1 шт — 3 679 ₽
- от 10 шт — 1 810 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
95 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 2 296 ₽
- 95 шт - 1 206 ₽
- 190 шт - 1 124 ₽
- 570 шт - 1 041 ₽
2 296 ₽
- от 1 шт — 2 296 ₽
- от 95 шт — 1 206 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, корпус 8-SOIC
Linear Integrated Systems, Inc.
78 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 2 296 ₽
- 95 шт - 1 206 ₽
- 190 шт - 1 124 ₽
- 570 шт - 1 041 ₽
2 296 ₽
- от 1 шт — 2 296 ₽
- от 95 шт — 1 206 ₽
Полевой транзистор JFET: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 25 пФ @ 10 В, напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 40 В, ток утечки (Id) макс 10 мА
Linear Integrated Systems, Inc.
914 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 2 265 ₽
- 10 шт - 1 573 ₽
- 100 шт - 1 253 ₽
- 2500 шт - 1 023 ₽
2 265 ₽
- от 1 шт — 2 265 ₽
- от 10 шт — 1 573 ₽