2N5246

2N5246 Fairchild Semiconductor Corp Транзистор: SMALL SIGNAL FET

• Основные параметры:
• V_DS(on): Максимальное напряжение между дреном и сисой при открытом канале.
• I_DSS: Статический ток дrena при нулевом напряжении на гейте.
• R_DS(on): Сопротивление между дреном и сисой при открытом канале.
• g_m: Параметр характеристики мосфета, отражающий зависимость тока дrena от напряжения на гейте.
• C_ox: Параметр, отражающий способность MOSFET к электрическому заряду.
• Плюсы:
• Низкое значение R_DS(on) обеспечивает малые потери энергии.
• Высокая скорость перехода обеспечивает хорошую работу на высоких частотах.
• Малый размер и легкость производства.
• Стабильные электрические характеристики.
• Минусы:
• Чувствительность к внешним воздействиям (шумам).
• Неустойчивость к перегреву.
• Зависимость тока от температуры.
• Общее назначение:
• Использование в усилителях сигнала.
• Работа в цифровых и аналоговых цепях.
• Контроль тока в различных приборах.
• В каких устройствах применяется:
• Аудиоусилители.
• Цифровые радиоприемники.
• Мобильные телефоны.
• Автомобильные системы.
• Производство компьютерной периферии.