2N5246 Fairchild Semiconductor Corp Транзистор: SMALL SIGNAL FET
- Основные параметры:
- VDS(on): Максимальное напряжение между дреном и сисой при открытом канале.
- IDSS: Статический ток дrena при нулевом напряжении на гейте.
- RDS(on): Сопротивление между дреном и сисой при открытом канале.
- gm: Параметр характеристики мосфета, отражающий зависимость тока дrena от напряжения на гейте.
- Cox: Параметр, отражающий способность MOSFET к электрическому заряду.
- Плюсы:
- Низкое значение RDS(on) обеспечивает малые потери энергии.
- Высокая скорость перехода обеспечивает хорошую работу на высоких частотах.
- Малый размер и легкость производства.
- Стабильные электрические характеристики.
- Минусы:
- Чувствительность к внешним воздействиям (шумам).
- Неустойчивость к перегреву.
- Зависимость тока от температуры.
- Общее назначение:
- Использование в усилителях сигнала.
- Работа в цифровых и аналоговых цепях.
- Контроль тока в различных приборах.
- В каких устройствах применяется:
- Аудиоусилители.
- Цифровые радиоприемники.
- Мобильные телефоны.
- Автомобильные системы.
- Производство компьютерной периферии.