Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
2N7000
  • В избранное
  • В сравнение
2N7000

2N7000

2N7000
;
2N7000

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    2N7000
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIВсе характеристики

Минимальная цена 2N7000 при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N7000 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N7000

2N7000 Diotec Semiconductor Транзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Тип: Малосигнальный полевик (MOSFET)
    • Тип тока: N-канальный
    • Максимальное напряжение: 20 В
    • Максимальный ток: 150 мА
    • Предел частоты: до 300 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума
    • Маленький размер
    • Высокий коэффициент усиления
    • Низкое потребление энергии
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическому шуму
    • Не подходит для высоковольтных приложений
    • Сложность в проектировании некоторых схем
  • Общее назначение:
    • Усилители сигналов
    • Фильтры
    • Цифровые и аналоговые логические элементы
    • Переключатели высокой частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • ПК и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы
    • Радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики 2N7000

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Техническая документация

 2N7000.pdf
pdf. 0 kb
  • 272 шт
    в наличии
  • 7622 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 ₽
  • 10
    23 ₽
  • 500
    10.7 ₽
  • 2000
    8.3 ₽
  • 8000
    6.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    2N7000
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIВсе характеристики

Минимальная цена 2N7000 при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N7000 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N7000

2N7000 Diotec Semiconductor Транзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Тип: Малосигнальный полевик (MOSFET)
    • Тип тока: N-канальный
    • Максимальное напряжение: 20 В
    • Максимальный ток: 150 мА
    • Предел частоты: до 300 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума
    • Маленький размер
    • Высокий коэффициент усиления
    • Низкое потребление энергии
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическому шуму
    • Не подходит для высоковольтных приложений
    • Сложность в проектировании некоторых схем
  • Общее назначение:
    • Усилители сигналов
    • Фильтры
    • Цифровые и аналоговые логические элементы
    • Переключатели высокой частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • ПК и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы
    • Радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики 2N7000

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Техническая документация

 2N7000.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PHP23NQ11T,127MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
    640Кешбэк 96 баллов
    PSMN6R5-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    650Кешбэк 97 баллов
    BUK764R4-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    657Кешбэк 98 баллов
    PHP20NQ20T,127MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB
    661Кешбэк 99 баллов
    PSMN015-100P,127MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
    663Кешбэк 99 баллов
    PSMN008-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    676Кешбэк 101 балл
    PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
    680Кешбэк 102 балла
    BUK964R4-40B,118MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    690Кешбэк 103 балла
    BUK763R9-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    693Кешбэк 103 балла
    PSMN5R0-80BS,118MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    695Кешбэк 104 балла
    PSMN5R6-100BS,118MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
    718Кешбэк 107 баллов
    BUK7240-100A,118MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
    738Кешбэк 110 баллов
    BUK765R0-100E,118MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    741Кешбэк 111 баллов
    BUK963R3-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    745Кешбэк 111 баллов
    PSMN3R0-60PS,127MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    766Кешбэк 114 баллов
    BUK763R1-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    771Кешбэк 115 баллов
    PSMN7R6-100BSEJMOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
    775Кешбэк 116 баллов
    PSMN1R1-40BS,118MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    807Кешбэк 121 балл
    PSMN2R6-60PSQMOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
    819Кешбэк 122 балла
    PSMN1R8-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    834Кешбэк 125 баллов
    PSMN2R8-80BS,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    834Кешбэк 125 баллов
    BUK762R6-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    836Кешбэк 125 баллов
    BUK962R5-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    847Кешбэк 127 баллов
    PSMN2R0-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    849Кешбэк 127 баллов
    PHB191NQ06LT,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    855Кешбэк 128 баллов
    BUK964R2-80E,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    868Кешбэк 130 баллов
    PSMN4R6-60PS,127Транзистор: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    880Кешбэк 132 балла
    PSMN004-60B,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    887Кешбэк 133 балла
    PSMN013-100BS,118MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
    895Кешбэк 134 балла
    PSMN005-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    912Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП