Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные

Полевые транзисторы - Одиночные

Популярные
Количество
IRF6727MTRPBF

INFINEON

IRF6727MTRPBF
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 6190 пФ @ 15 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 В, ток стока (Id) 32 А (Ta), 180 А (Tc)

9769 шт - в наличии

2 шт - 3-6 недель

653 ₽

1 шт — 653 ₽

FDV301N

ON SEMICONDUCTOR

FDV301N
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 9,5 пФ @ 10 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 25 В, ток стока (Id) 220 мА (Ta)

3000 шт - в наличии

28714 шт - 3-6 недель

36 ₽

1 шт — 36 ₽

10 шт — 24.5 ₽

IRFU024PBF

VISHAY

IRFU024PBF
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 640 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 14 А (Tc), корпус TO-251AA

2928 шт - в наличии

1213 шт - 3-6 недель

352 ₽

1 шт — 352 ₽

10 шт — 255 ₽

PMF63UN,115

Nexperia USA Inc.

PMF63UN,115
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 185 пФ @ 10 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 20 В, ток стока (Id) 1,8 А (Ta), корпус SC-70

1000 шт - в наличии

24542 шт - 3-6 недель

66 ₽

1 шт — 66 ₽

1429 шт — 39 ₽

STB23NM50N

STMicroelectronics

STB23NM50N
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1330 пФ @ 50 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 500 В, ток стока (Id) 17 А (Tc)

966 шт - в наличии

823 шт - 3-6 недель

746 ₽

1 шт — 746 ₽

10 шт — 663 ₽

SI2347DS-T1-GE3

VISHAY

SI2347DS-T1-GE3
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 705 пФ @ 15 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 В, ток стока (Id) 5 А (Tc)

325 шт - в наличии

6028 шт - 3-6 недель

98 ₽

1 шт — 98 ₽

50 шт — 52 ₽

2N7002

LUGUANG ELECTRONIC

2N7002
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 50 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 280 мА (Ta)

229 шт - в наличии

4510 шт - 3-6 недель

25.3 ₽

1 шт — 25.3 ₽

100 шт — 8.1 ₽

DMN1019USN-7

Diodes Incorporated

DMN1019USN-7
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 2426 пФ @ 10 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 12 В, ток стока (Id) 9,3 А (Ta), корпус SC-59-3

100 шт - в наличии

32632 шт - 3-6 недель

126 ₽

1 шт — 126 ₽

10 шт — 57 ₽

FDP52N20

ON SEMICONDUCTOR

FDP52N20
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 2900 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 200 В, ток стока (Id) 52 А (Tc)

100 шт - в наличии

204 шт - 3-6 недель

704 ₽

1 шт — 704 ₽

10 шт — 524 ₽

NTLJF3117PT1G

onsemi

NTLJF3117PT1G
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 531 пФ @ 10 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 20 В, ток стока (Id) 2,3 А (Ta)

82 шт - в наличии

9087 шт - 3-6 недель

152 ₽

1 шт — 152 ₽

10 шт — 69 ₽

IRFL4105TRPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

IRFL4105TRPBF
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 660 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 3,7 А (Ta), корпус SOT-223

76 шт - в наличии

1428 шт - 3-6 недель

198 ₽

1 шт — 198 ₽

50 шт — 96 ₽

CSD17510Q5A

Texas Instruments

CSD17510Q5A
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1250 пФ @ 15 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 В, ток стока (Id) 20 А (Ta), 100 А (Tc)

74 шт - в наличии

4600 шт - 3-6 недель

348 ₽

1 шт — 348 ₽

10 шт — 166 ₽

FDMS86101

onsemi / Fairchild

FDMS86101
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 3000 пФ @ 50 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 100 В, ток стока (Id) 12,4 А (Ta), 60 А (Tc)

71 шт - в наличии

28908 шт - 3-6 недель

614 ₽

1 шт — 614 ₽

10 шт — 306 ₽

BUK9640-100A,118

NEXPERIA

BUK9640-100A,118
Транзистор: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

57 шт - в наличии

234 шт - 3-6 недель

413 ₽

1 шт — 413 ₽

10 шт — 309 ₽

IRF3205PBF

INFINEON

IRF3205PBF
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 3247 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 110 А (Tc)

56 шт - в наличии

34287 шт - 3-6 недель

512 ₽

1 шт — 512 ₽

10 шт — 254 ₽

AON7408

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AON7408
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 448 пФ @ 15 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 В, ток стока (Id) 10 А (Ta), 18 А (Tc)

56 шт - в наличии

2133 шт - 3-6 недель

60 ₽

1 шт — 60 ₽

3 шт — 55 ₽

IRFP064NPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

IRFP064NPBF
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 4000 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 110 А (Tc)

50 шт - в наличии

584 шт - 3-6 недель

627 ₽

1 шт — 627 ₽

5 шт — 297 ₽

IRLS3034TRLPBF

Infineon Technologies

IRLS3034TRLPBF
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 10315 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 40 В, ток стока (Id) 195 А (Tc), корпус D2PAK

35 шт - в наличии

64 шт - 3-6 недель

863 ₽

1 шт — 863 ₽

10 шт — 360 ₽

STB6N80K5

STMicroelectronics

STB6N80K5
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 255 пФ @ 100 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 800 В, ток стока (Id) 4,5 А (Tc)

30 шт - в наличии

1017 шт - 3-6 недель

554 ₽

1 шт — 554 ₽

10 шт — 323 ₽

STP100NF04

STMicroelectronics

STP100NF04
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 5100 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 40 В, ток стока (Id) 120 А (Tc), корпус TO-220

29 шт - в наличии

95 шт - 3-6 недель

605 ₽

1 шт — 605 ₽

Полевые транзисторы - Одиночные — 0 , актуальные цены и наличие на складе

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Полевые транзисторы - Одиночные (Дискретные полупроводники)

Полевые транзисторы: невидимые дирижеры электронного мира

Представьте себе крошечный электронный кран, который с помощью минимального усилия (напряжения на затворе) управляет мощным потоком воды (током через канал). Именно так работает полевой транзистор (FET), фундаментальный компонент, лежащий в основе всей современной микроэлектроники. В отличие от своих биполярных собратьев, которые управляются током, полевые транзисторы управляются напряжением, что делает их идеальными для энергоэффективных решений. Именно это свойство позволило создать процессоры наших смартфонов и компьютеров, где миллиарды этих микроскопических переключателей работают, практически не потребляя энергию в статическом режиме. Их дискретные, то есть одиночные, версии — это «силовики» и «точные настройщики» мира электроники, которые вы можете купить отдельно для создания мощных, надежных и эффективных схем, где стандартные интегральные микросхемы не справляются с задачами по току, напряжению или теплоотдаче.

Их история началась с прорывных теоретических работ Юлия Лилиенфельда в далеких 1920-х годах, но практическая реализация стала возможной лишь десятилетия спустя с развитием технологий производства полупроводников. Настоящую революцию совершил MOSFET (МОП-транзистор) — структура металл-оксид-полупроводник, которая обеспечила беспрецедентную плотность размещения компонентов на кристалле и доминирует по сей день. Технологический путь от первых лабораторных образцов до современных высокочастотных RF-транзисторов и силовых MOSFET с низким сопротивлением канала (RDS(on)) — это история непрерывной борьбы за эффективность, скорость и миниатюризацию. Современные дискретные MOSFET, например, используют сложнейшие клеточные структуры (Trench Technology) и специализированные материалы (кремний на карбиде кремния), чтобы выдерживать колоссальные токи и напряжения, оставаясь при этом компактными.

Силовой полевой транзистор в корпусе TO-220FP с изолированным фланцем для монтажа на радиатор

Где они работают: от вашего кармана до промышленных гигантов

Сферы применения одиночных полевых транзисторов невероятно обширны. Вам стоит искать их практически в любой сложной электронной системе. В импульсных источниках питания (как в вашем ноутбуке или игровой консоли) мощные MOSFET выполняют ключевую роль высокоскоростных переключателей, преобразуя с минимальными потерями входное напряжение. Без них были бы невозможны компактные и легкие блоки питания. В системах управления электродвигателями, от кулера в компьютере до мощного промышленного станка, они являются сердцем драйверов (H-мостов), плавно регулируя скорость и направление вращения с помощью ШИМ-сигналов. Автомобильная промышленность — еще один огромный потребитель: полевые транзисторы управляют светом фар, работой стеклоподъемников, топливными насосами и критически важными блоками управления (ECU) в современных автомобилях.

Отдельно стоит выделить высокочастотные (RF) транзисторы, которые работают в усилителях радиопередатчиков, базовых станциях сотовой связи и даже в вашем домашнем Wi-Fi-роутере, усиливая слабые сигналы с минимальными искажениями. В аудиотехнике полевые транзисторы ценятся за так называемый «ламповый», теплый звук в выходных каскадах усилителей высокой верности. Даже в вашей стиральной машине или посудомойке они quietly делают свою работу, управляя соленоидами, клапанами и насосами, обеспечивая бесперебойный и точный цикл работы. Это универсальные «мускулы» цифрового мира, которые приводят в движение физические объекты по команде от микроконтроллеров.

Как сделать правильный выбор: ключевые параметры

Выбор конкретного полевого транзистора — это всегда поиск баланса между несколькими критически важными параметрами, и понимание их поможет избежать ошибок. Первое, на что смотрят всегда, — это предельные значения: максимальное напряжение сток-исток (VDSS), которое должно быть с запасом выше рабочего напряжения в цепи, и максимальный непрерывный ток стока (ID). Второй по важности параметр — сопротивление открытого канала (RDS(on)): чем оно ниже, тем меньше энергии рассеивается в виде тепла и выше общий КПД системы. Для скоростных схем, особенно импульсных преобразователей, жизненно важны емкостные характеристики (входная, проходная и выходная емкость) и время переключения, так как они напрямую влияют на динамические потери.

Не менее важен и тип корпуса. Маломощные транзисторы для печатных плат выпускаются в миниатюрных корпусах SMD (SOT-23, SO-8), а мощные силовые элементы — в корпусах, предназначенных для монтажа на радиатор (TO-220, TO-247, D2PAK). Обращайте внимание на наличие или отсутствие изолированного фланца (как в TO-220FP), что упрощает термомонтаж. Для критичных по уровню шума или точности аналоговых схем может иметь значение тип транзистора: полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) часто используются во входных каскадах из-за своего низкого уровня шума.

Почему покупатели выбирают «Эиком Ру»

Заказывая одиночные полевые транзисторы в нашем магазине, вы получаете не просто деталь, а гарантию надежности и выгодных условий. Мы тщательно формируем ассортимент, предлагая вам только проверенную продукцию от ведущих мировых производителей (Infineon, STMicroelectronics, Vishay, ON Semiconductor) и ответственных поставщиков, что полностью исключает риск приобретения контрафакта. Наш каталог включает как популярные универсальные модели, так и редкие специфические компоненты для решения нестандартных инженерных задач. Мы понимаем, что стоимость проекта складывается из мелочей, поэтому стремимся предложить не только качество, но и конкурентные цены, специальные условия для оптовых покупателей и регулярные акции. И конечно, для вашего удобства мы обеспечиваем бесплатную доставку заказов по всей территории России, чтобы необходимые компоненты быстро и без лишних затрат оказались у вас на столе. Собирайте свои проекты с уверенностью вместе с «Эиком Ру».

Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП