71V67603S150PFGI

71V67603S150PFGI от Renesas Electronics — микросхема SRAM с параметрами:

• Объем памяти: 9 Мбит
• Тип интерфейса: параллельный
• Количество выводов: 100TQFP (100-пиновый разъем Quad Flat No-Lead)

Основные параметры:

• Технология: 0,18 мкм
• Интерфейс: параллельный
• Рабочие напряжения: Vcc = 2,5 В – 3,6 В
• Частота: до 100 МГц

Плюсы:

• Высокая плотность памяти
• Быстрая скорость работы
• Устойчивость к помехам
• Надежность при работе в широком диапазоне температур

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Необходимость постоянного питания для сохранения данных

Общее назначение:

• Буферизация данных
• Создание временной памяти
• Хранение конфигурационной информации для микроконтроллеров

В каких устройствах применяется:

• Компьютерное оборудование
• Производственное оборудование
• Автомобильные системы
• Системы связи
• Медицинское оборудование