AFT20P140-4WNR3 транзистор, RF MOSFET LDMOS DL, 1.88ГГц ~ 1.91ГГц, 28В, 24Вт

AFT20P140-4WNR3 NXP USA Inc. Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4

• Основные параметры:
• Номинальный напряжение на разделяющем слое (V_DS(on)) - 20 V
• Номинальное напряжение на коллекторе (V_CEO) - 140 V
• Максимальная мощность (P_max) - 4 W
• Номинальная частота (f_T) - до 1 GHz
• Тип - LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)
• Напряжение на разделяющем слое (V_DS) - 28 V
• Код продукта - OM780-4
• Плюсы:
• Высокая мощность
• Высокая частота работы
• Высокая надежность
• Малый размер
• Устойчивость к перегреву
• Минусы:
• Высокие цены
• Требуют специфического проектирования
• Требуют осторожного управления термическим режимом
• Общее назначение:
• Радиоэлектроника
• Системы связи
• Мобильные телефоны
• Телевизионные трансляции
• Системы спутниковой связи
• В каких устройствах применяется:
• Спутниковая связь
• Антенны для радиосвязи
• Мобильные телефоны и смартфоны
• Телевизионные трансляторы
• Системы военного радиообмена