Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
AON7408
  • В избранное
  • В сравнение
AON7408

AON7408

AON7408
;
AON7408

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    AON7408
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFNВсе характеристики

Минимальная цена AON7408 при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AON7408 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AON7408

AON7408 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) нейтрального типа с низким напряжением гатывающего включения. Основные характеристики:

  • Напряжение гатывающего включения (VGS(th)): до 2,5 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 10 А (для стандартной версии), 18 А (для высокотоковой версии)
  • Напряжение между дреном и эмиттером (VDS(max)): 30 В
  • Форм-фактор: 8DFN (8-пиновый диэлектрический корпус)

Плюсы:

  • Малый напряжением гатывающего включения обеспечивает низкую энергетическую потери при работе
  • Высокий ток пропускаемый через него позволяет использовать его в высокотоковых схемах
  • Корпус 8DFN обеспечивает надежную термическую конduction

Минусы:

  • Требуется дополнительная термическая решетка для эффективного охлаждения при высоких нагрузках
  • Возможны проблемы с электрическим шумом из-за низкого VGS(th)

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется управление высокими токами при низком напряжении гатывающего включения. Это может включать:

  • Автомобильные системы
  • Промышленные преобразователи
  • Системы питания
  • Энергосберегающие устройства

Устройство подходит для применения в устройствах, где важно сочетание низкого напряжения гатывающего включения и высокого тока.

Выбрано: Показать

Характеристики AON7408

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    448 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 11W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN-EP (3x3)
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

 AON7408.pdf
pdf. 0 kb
  • 53 шт
    в наличии
  • 2372 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    57 ₽
  • 3
    52 ₽
  • 25
    27 ₽
  • 100
    24 ₽
  • 500
    22 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    AON7408
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFNВсе характеристики

Минимальная цена AON7408 при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AON7408 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AON7408

AON7408 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) нейтрального типа с низким напряжением гатывающего включения. Основные характеристики:

  • Напряжение гатывающего включения (VGS(th)): до 2,5 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 10 А (для стандартной версии), 18 А (для высокотоковой версии)
  • Напряжение между дреном и эмиттером (VDS(max)): 30 В
  • Форм-фактор: 8DFN (8-пиновый диэлектрический корпус)

Плюсы:

  • Малый напряжением гатывающего включения обеспечивает низкую энергетическую потери при работе
  • Высокий ток пропускаемый через него позволяет использовать его в высокотоковых схемах
  • Корпус 8DFN обеспечивает надежную термическую конduction

Минусы:

  • Требуется дополнительная термическая решетка для эффективного охлаждения при высоких нагрузках
  • Возможны проблемы с электрическим шумом из-за низкого VGS(th)

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется управление высокими токами при низком напряжении гатывающего включения. Это может включать:

  • Автомобильные системы
  • Промышленные преобразователи
  • Системы питания
  • Энергосберегающие устройства

Устройство подходит для применения в устройствах, где важно сочетание низкого напряжения гатывающего включения и высокого тока.

Выбрано: Показать

Характеристики AON7408

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    448 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 11W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN-EP (3x3)
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

 AON7408.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PHP23NQ11T,127MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
    640Кешбэк 96 баллов
    PSMN6R5-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    650Кешбэк 97 баллов
    BUK764R4-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    657Кешбэк 98 баллов
    PHP20NQ20T,127MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB
    661Кешбэк 99 баллов
    PSMN015-100P,127MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
    663Кешбэк 99 баллов
    PSMN008-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    676Кешбэк 101 балл
    PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
    680Кешбэк 102 балла
    BUK964R4-40B,118MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    690Кешбэк 103 балла
    BUK763R9-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    693Кешбэк 103 балла
    PSMN5R0-80BS,118MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    695Кешбэк 104 балла
    PSMN5R6-100BS,118MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
    718Кешбэк 107 баллов
    BUK7240-100A,118MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
    738Кешбэк 110 баллов
    BUK765R0-100E,118MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    741Кешбэк 111 баллов
    BUK963R3-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    745Кешбэк 111 баллов
    PSMN3R0-60PS,127MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    766Кешбэк 114 баллов
    BUK763R1-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    771Кешбэк 115 баллов
    PSMN7R6-100BSEJMOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
    775Кешбэк 116 баллов
    PSMN1R1-40BS,118MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    807Кешбэк 121 балл
    PSMN2R6-60PSQMOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
    819Кешбэк 122 балла
    PSMN1R8-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    834Кешбэк 125 баллов
    PSMN2R8-80BS,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    834Кешбэк 125 баллов
    BUK762R6-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    836Кешбэк 125 баллов
    BUK962R5-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    847Кешбэк 127 баллов
    PSMN2R0-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    849Кешбэк 127 баллов
    PHB191NQ06LT,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    855Кешбэк 128 баллов
    BUK964R2-80E,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    868Кешбэк 130 баллов
    PSMN4R6-60PS,127Транзистор: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    880Кешбэк 132 балла
    PSMN004-60B,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    887Кешбэк 133 балла
    PSMN013-100BS,118MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
    895Кешбэк 134 балла
    PSMN005-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    912Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП