Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
APT30M19JVFR

APT30M19JVFR полевой транзистор, N-канал, 300В, 130А, 700Вт

APT30M19JVFR
APT30M19JVFR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MICROSEMI
  • Артикул:
    APT30M19JVFR
  • Описание:
    Модуль полевых транзисторов: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 21600 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 300 В, ток стока (Id) 130 А (Tc)Все характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 7 868 ₽/шт, купить APT30M19JVFR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка

Характеристики

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    130A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    975 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    21600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    APT30M19

Техническая документация

Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

APT30M19JVFR MICROSEMI MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 300В
    • Размерный ток: 130А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Изоляция: ISOTOP (изотропная)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря изотропной изоляции
    • Эффективное управление током
    • Малый сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к ударным напряжениям
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов с низким вольтажем
    • Ограничение тока
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Оборудование для промышленного использования

Альтернативные маркировки

  • APT30M19JVFR-ND