Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули

Полевые транзисторы - Модули

Популярные
IXFN210N20P

IXYS

IXFN210N20P
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

1826 шт - 3-6 недель

8 713 ₽

1 шт — 8 713 ₽

10 шт — 6 557 ₽

FD6M045N06

Fairchild Semiconductor

FD6M045N06
Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET

1409 шт - 3-6 недель

56 940 ₽

52 шт — 1 095 ₽

FD6M043N08

Fairchild Semiconductor

FD6M043N08
Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET

1404 шт - 3-6 недель

57 690 ₽

45 шт — 1 282 ₽

FD6M033N06

Fairchild Semiconductor

FD6M033N06
Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET

1382 шт - 3-6 недель

56 595 ₽

77 шт — 735 ₽

IXFN520N075T2

IXYS

IXFN520N075T2
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B

1040 шт - 3-6 недель

6 506 ₽

1 шт — 6 506 ₽

10 шт — 4 812 ₽

IXFN180N15P

IXYS

IXFN180N15P
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

923 шт - 3-6 недель

5 449 ₽

1 шт — 5 449 ₽

10 шт — 3 989 ₽

IXFN64N50P

IXYS

IXFN64N50P
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B

740 шт - 3-6 недель

5 765 ₽

1 шт — 5 765 ₽

10 шт — 4 917 ₽

IXFN200N10P

IXYS SEMICONDUCTOR

IXFN200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

631 шт - 3-6 недель

5 628 ₽

1 шт — 5 628 ₽

5 шт — 4 874 ₽

IXTN30N100L

IXYS

IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

556 шт - 3-6 недель

13 396 ₽

1 шт — 13 396 ₽

10 шт — 10 720 ₽

IXTN600N04T2

Littelfuse Inc.

IXTN600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B

532 шт - 3-6 недель

6 689 ₽

1 шт — 6 689 ₽

10 шт — 4 956 ₽

IXTN60N50L2

Littelfuse Inc.

IXTN60N50L2
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B

475 шт - 3-6 недель

9 239 ₽

1 шт — 9 239 ₽

10 шт — 6 978 ₽

IXFN80N50P

IXYS

IXFN80N50P
MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B

438 шт - 3-6 недель

6 774 ₽

1 шт — 6 774 ₽

10 шт — 5 884 ₽

FPF1C2P5BF07A

Fairchild Semiconductor

FPF1C2P5BF07A
Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

433 шт - 3-6 недель

49 704 ₽

3 шт — 16 568 ₽

IXFN360N10T

IXYS

IXFN360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

424 шт - 3-6 недель

5 383 ₽

1 шт — 5 383 ₽

10 шт — 3 935 ₽

IXFN180N25T

IXYS

IXFN180N25T
MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B

420 шт - 3-6 недель

5 677 ₽

1 шт — 5 677 ₽

10 шт — 4 165 ₽

IXFN100N50P

IXYS

IXFN100N50P
Транзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

366 шт - 3-6 недель

8 990 ₽

1 шт — 8 990 ₽

10 шт — 6 970 ₽

IXTN550N055T2

IXYS

IXTN550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B

312 шт - 3-6 недель

8 881 ₽

1 шт — 8 881 ₽

10 шт — 7 273 ₽

IXFN420N10T

IXYS

IXFN420N10T
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B

288 шт - 3-6 недель

6 080 ₽

1 шт — 6 080 ₽

10 шт — 4 478 ₽

IXFN32N100Q3

IXYS

IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

286 шт - 3-6 недель

11 555 ₽

1 шт — 11 555 ₽

10 шт — 8 842 ₽

IXTN90N25L2

Littelfuse Inc.

IXTN90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B

284 шт - 3-6 недель

9 239 ₽

1 шт — 9 239 ₽

10 шт — 6 978 ₽

Полевые транзисторы - Модули

Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.

Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.

Применение

Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.

Основные области их использования включают:

  • Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
  • Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
  • Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
  • Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
  • Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.

Совместимость

Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.

Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.

Полевые транзисторы - Модули (Дискретные полупроводники)

Полевые транзисторы в модульных корпусах: мощь и компактность в современной электронике

В мире дискретных полупроводников полевые транзисторы (MOSFET) давно стали рабочими лошадками, отвечающими за эффективное управление мощностью. Однако когда речь заходит о действительно высоких токах и напряжениях, классические корпуса вроде TO-220 или DPAK часто достигают своего предела. Именно здесь на сцену выходят модульные решения — готовые сборки, которые инженеры и энтузиасты выбирают для создания компактных, но невероятно мощных устройств. Эти модули кардинально упрощают процесс проектирования, интегрируя в себе один или несколько MOSFET-транзисторов вместе с дополнительными компонентами, что минимизирует паразитные индуктивности и максимизирует теплоотвод. Их можно встретить в сердце промышленных частотных преобразователей, плавно регулирующих скорость мощных электродвигателей на конвейерных линиях, или в гибридных и электрических транспортных средствах, где они управляют энергией между батареями и тяговым электромотором. Даже мощные системы бесперебойного питания (ИБП) и сварочные аппараты полагаются на эти модули для бескомпромиссной работы в экстремальных условиях.

Модуль полевого транзистора в корпусе для эффективного теплоотвода

От дискретных элементов к интегрированным силовым решениям

Эволюция силовой электроники — это постоянная борьба за снижение потерь, увеличение плотности мощности и упрощение монтажа. Если первые мощные MOSFET-транзисторы поставлялись в относительно простых пластиковых корпусах, требующих от разработчика самостоятельной проработки системы охлаждения и монтажа на радиатор, то современные модули представляют собой целую экосистему в одном корпусе. Производители, такие как Infineon, STMicroelectronics и Vishay, стали предлагать решения, где кристаллы транзисторов и, часто, свободно-колещающие диоды (FRD) монтируются на высокоэффективную керамическую подложку (например, DBC — Direct Bonded Copper), которая обеспечивает превосходную электрическую изоляцию и одновременно великолепный отвод тепла. Вся эта конструкция герметично закрывается прочным пластиковым корпусом с надежными силовыми выводами, готовым к установке на внешний heatsink. Такой подход не только улучшает надежность всего конечного устройства, но и значительно сокращает его габариты, что критически важно для современной бытовой техники, телекоммуникационного оборудования и автомобильной электроники, где каждый кубический сантиметр на счету.

Ключевые параметры для инженерного выбора

Выбор конкретного модуля полевого транзистора — это всегда поиск баланса между десятком взаимосвязанных параметров, определяющих эффективность и долговечность вашего проекта. Первое, на что стоит обратить внимание — это максимальное напряжение сток-исток (Vds), которое должно с запасом перекрывать рабочее напряжение системы. Второй критически важный параметр — ток стока (Id), но здесь необходимо смотреть не на абсолютное максимальное значение, а на зависимость этого тока от температуры корпуса, так как реальная пропускная способность резко падает с нагревом. Сопротивление открытого канала (Rds(on)) напрямую определяет потери мощности и нагрев — чем оно ниже, тем выше КПД системы. Не менее важна скорость переключения, характеризуемая зарядом затвора (Qg) и внутренними емкостями; низкие значения позволяют работать на высоких частотах с минимальными потерями на переключение. Наконец, тип и конструкция корпуса определяют удобство монтажа и эффективность отвода тепла, что в конечном итоге является ограничивающим фактором для всей мощности модуля.

Почему покупатели выбирают «Эиком Ру»

Заказывая модули полевых транзисторов в «Эиком Ру», вы получаете не просто деталь, а гарантию стабильной работы вашего устройства на годы вперед. Мы тщательно подбираем ассортимент, предлагая только проверенную продукцию от ведущих мировых брендов и ответственных производителей, что исключает риски, связанные с контрафактными компонентами. Наши технические специалисты всегда готовы помочь с консультацией, чтобы вы нашли оптимальное решение под свои задачи и бюджет. Мы понимаем, что стоимость проекта складывается из многих факторов, поэтому предлагаем гибкие условия оптовым клиентам и конкурентные цены для розничных покупателей. И конечно, мы заботимся о вашем удобстве — для заказов по всей России действует бесплатная доставка, позволяя вам сосредоточиться на творческом процессе разработки, не думая о логистике.

Рекомендуемые товары

Все товары
Рекомендуемые товары
    Nexperia USA Inc.
    PDTB123TT,215Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
    51Кешбэк 7 баллов
    Sanken Electric USA Inc.
    SLA5068Транзистор: MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
    1 406Кешбэк 210 баллов
    onsemi
    MMSD301T1GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
    38Кешбэк 5 баллов
    STMicroelectronics
    STPS2200UДиод: DIODE SCHOTTKY 200V 2A SMB
    62Кешбэк 9 баллов
    Diotec Semiconductor
    1N5370BДиод: DIODE ZENER 56V 5W T18
    77Кешбэк 11 баллов
    Infineon Technologies
    IPB017N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 291Кешбэк 193 балла
    Vishay Semiconductors
    BAS70-00-HE3-08DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23
    70Кешбэк 10 баллов
    Diodes Incorporated
    ZXTN04120HP5TCTRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5
    130Кешбэк 19 баллов
    Diodes Incorporated
    DMP3026SFDE-7MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
    141Кешбэк 21 балл
    Central Semiconductor
    CMPSH-3 TR PBFREEDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    Nexperia
    PMP5201Y,115Транзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    117Кешбэк 17 баллов
    DIODES INC.
    SD107WS-7-FДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323
    48Кешбэк 7 баллов
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП