Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN32N120P
  • В избранное
IXFN32N120P

IXFN32N120P полевой транзистор, N-канал, 1200В, 32А, 1000Вт

  • В избранное
IXFN32N120P
IXFN32N120P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN32N120P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN32N120P при покупке от 1 шт 14 946 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN32N120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 321 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    14 946 ₽
  • 10
    11 621 ₽
  • 100
    11 275 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN32N120P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    310mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    360 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    21000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1000W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN32

Техническая документация

 IXFN32N120P.pdf
pdf. 0 kb

Описание IXFN32N120P

IXFN32N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 1200В
    • Номинальный ток (ID) - 32А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор - SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый тепловыделение при работе
    • Эффективное управление током
    • Низкий коэффициент сопротивления при включении (RDS(on))
  • Минусы:
    • Требует дополнительного питания для управления
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в инверторах и преобразователях мощности
    • Управление током в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы питания
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства с высокими требованиями к точности и надежности
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП