AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN — микросхема DRAM (Dynamic Random Access Memory) производства Alliance Memory Inc. Объем памяти составляет 256 Мбит (32 МБ).

• Общие характеристики:
• Технология: 6TAN (6 транзисторов на ячейку)
• Форм-фактор: 54-TSOP II (54-разъемнаяSurface Mount Technology Optimum Pin)
• Рабочая частота: до 100 МГц
• Шина данных: 16 бит
• Основные преимущества:
• Высокая плотность памяти
• Низкое энергопотребление
• Устойчивость к ошибкам благодаря технологии 6TAN
• Совместимость с стандартными интерфейсами
• Основные недостатки:
• Медленная скорость работы по сравнению с современными DRAM моделями
• Не подходит для высоконагруженных систем из-за ограниченной рабочей частоты
• Общее назначение:
• Использование в небольших объемах памяти для компонентов и устройств, где требуется экономия места и энергии.
• Подходит для бытовой электроники, периферийного оборудования, а также встраиваемых систем.
• Применение:
• Компьютерные платы
• Периферийные устройства
• Мобильные устройства (например, смартфоны и планшеты)
• Встраиваемые системы и контроллеры