AS4C256M16D3C-12BCNTR микросхема памяти, SDRAM - DDR3, 4Гбит, 800МГц, 1.425В ~ 1.575В

AS4C256M16D3C-12BCNTR Alliance Memory, Inc. Микросхема: это интегральная схема памяти типа DRAM (Dynamic Random Access Memory) объемом 4 Гбит.

• Объем памяти: 4 Гбит или 4 Гбайт.
• Параллельное соединение: 96 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array) разъем для подключения.
• Тип памяти: DRAM (Dynamic RAM).

Основные параметры:

• Тип памяти: DRAM обеспечивает быстрый доступ к данным, но требует периодической перезаписи.
• Объем: 4 Гбайт обеспечивает значительный объем оперативной памяти для различных устройств.
• Разъем: 96 FBGA позволяет надежному и компактному подключению к системной плате.

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным.
• Компактность благодаря FBGA разъему.
• Высокая плотность памяти.

Минусы:

• Необходимость периодической перезаписи данных для сохранения информации.
• Высокое энергопотребление по сравнению с статической памятью.

Общее назначение:

• Используется в различных устройствах, где требуется высокая скорость обработки данных и большой объем оперативной памяти.
• Подходит для серверных систем, рабочих станций, игровых консолей и других устройств с высокими требованиями к производительности.

В каких устройствах применяется:

• Серверные системы.
• Рабочие станции.
• Игровые консоли.
• Профессиональное оборудование.