BAP70-04W,115 диод высокочастотный, PIN, 50В, 100мА, 260мВт

BAP70-04W, 115 NXP Semiconductors RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3

• Основные параметры:
• Рабочее напряжение: 50В
• Максимальная мощность: 260МВт
• Тип: RF диод
• Комплектация: SOT323-3
• Плюсы:
• Высокая мощность
• Устойчивость к высоким напряжениям
• Компактный размер
• Высокая надежность
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с менее мощными диодами
• Требует специфического дизайна и проектирования для использования
• Общее назначение:
• Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
• Для улучшения чувствительности и усиления сигналов
• В телевизионных приемниках
• В системах спутниковой связи
• В каких устройствах применяется:
• Спутниковые телевизионные приемники
• Профессиональные радиостанции
• Мобильные радиостанции
• Системы спутниковой связи
• Радиоприемники