Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные диоды
BAR9002ELSE6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BAR9002ELSE6327XTSA1

BAR9002ELSE6327XTSA1

BAR9002ELSE6327XTSA1
;
BAR9002ELSE6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BAR9002ELSE6327XTSA1
  • Описание:
    Диод: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2Все характеристики

Минимальная цена BAR9002ELSE6327XTSA1 при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAR9002ELSE6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAR9002ELSE6327XTSA1

BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Диод:

  • RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDRM): 80В
  • Максимальная мощность (PMAX): 250 МВт
  • Форм-фактор: TSSLP-2

Плюсы:

  • Высокая мощность работы
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Компактность благодаря TSSLP-2 форм-фактору
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокие цены из-за высокой мощности
  • Требуют осторожного обращения при работе с высокими напряжениями и мощностями

Общее назначение:

  • Используется в радиочастотных (RF) системах, где требуется высокая мощность
  • Подходит для антенн и передающих устройств
  • Используется в системах связи, включая мобильную связь и беспроводные сети

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны
  • Беспроводные сети
  • Системы спутниковой связи
  • Другое оборудование радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики BAR9002ELSE6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    PIN - Single
  • Обратное Напряжение (Макс)
    80V
  • Максимальный ток
    100 mA
  • Емкость @ Vr, F
    0.35pF @ 1V, 1MHz
  • Сопротивление @ If, F
    800mOhm @ 10mA, 100MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Корпус
    0201 (0603 Metric)
  • Исполнение корпуса
    PG-TSSLP-2-3
  • Base Product Number
    BAR9002

Техническая документация

 BAR9002ELSE6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 98466 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    29.6 ₽
  • 25
    17.7 ₽
  • 250
    13.8 ₽
  • 1000
    12.3 ₽
  • 5000
    11.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BAR9002ELSE6327XTSA1
  • Описание:
    Диод: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2Все характеристики

Минимальная цена BAR9002ELSE6327XTSA1 при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAR9002ELSE6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAR9002ELSE6327XTSA1

BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Диод:

  • RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDRM): 80В
  • Максимальная мощность (PMAX): 250 МВт
  • Форм-фактор: TSSLP-2

Плюсы:

  • Высокая мощность работы
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Компактность благодаря TSSLP-2 форм-фактору
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокие цены из-за высокой мощности
  • Требуют осторожного обращения при работе с высокими напряжениями и мощностями

Общее назначение:

  • Используется в радиочастотных (RF) системах, где требуется высокая мощность
  • Подходит для антенн и передающих устройств
  • Используется в системах связи, включая мобильную связь и беспроводные сети

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны
  • Беспроводные сети
  • Системы спутниковой связи
  • Другое оборудование радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики BAR9002ELSE6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    PIN - Single
  • Обратное Напряжение (Макс)
    80V
  • Максимальный ток
    100 mA
  • Емкость @ Vr, F
    0.35pF @ 1V, 1MHz
  • Сопротивление @ If, F
    800mOhm @ 10mA, 100MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Корпус
    0201 (0603 Metric)
  • Исполнение корпуса
    PG-TSSLP-2-3
  • Base Product Number
    BAR9002

Техническая документация

 BAR9002ELSE6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAR6405WH6327XTSA1Диод: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    42Кешбэк 6 баллов
    BAR6702VH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2
    43Кешбэк 6 баллов
    BAR6404WH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BAT62E6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOT143
    54Кешбэк 8 баллов
    BAT1707E6327HTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4
    63Кешбэк 9 баллов
    BAT6804WH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3
    90Кешбэк 13 баллов
    BAT1504WH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3
    90Кешбэк 13 баллов
    BAT1704WH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
    90Кешбэк 13 баллов
    BAT6302VH6327XTSA1Диод: RF DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SC79
    111Кешбэк 16 баллов
    BAT1502LRHE6327XTSA1RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2
    119Кешбэк 17 баллов
    BAT1503WE6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2
    140Кешбэк 21 балл
    BAT15099E6433HTMA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
    185Кешбэк 27 баллов
    BAT2402LSE6327XTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2
    193Кешбэк 28 баллов
    BAT15099RE6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
    245Кешбэк 36 баллов
    MMBD301LT1GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MBD110DWT1GRF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD301LT3GDIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD352WT1GRF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD701LT1GДиод: DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD770T1GDIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD353LT1GDIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD352LT1GDIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD301M3T5GDIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT723
    20.4Кешбэк 3 балла
    MMBD330T1GDIODE SCHOTTKY 30V 120MW SC70-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    MMDL101T1GDIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD323
    24Кешбэк 3 балла
    MMBD101LT1GDIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
    24Кешбэк 3 балла
    MMBD354LT1
    28Кешбэк 4 балла
    MMBD354LT1GDIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBD301LT1
    31Кешбэк 4 балла
    MMBD452LT1GDIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3
    31.5Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП