Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BF1201WR,115
BF1201WR,115

BF1201WR,115

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BF1201WR,115
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343RВсе характеристики

Минимальная цена BF1201WR,115 при покупке от 1069 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BF1201WR,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BF1201WR,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel Dual Gate
    Тип транзистора N-Channel Dual Gate
  • Частота
    400MHz
    Частота 400MHz
  • Усиление
    29dB
    Усиление 29dB
  • Тестовое напряжение
    5 V
    Тестовое напряжение 5 V
  • Current Rating (Amps)
    30mA
    Current Rating (Amps) 30mA
  • Уровень шума
    1dB
    Уровень шума 1dB
  • Тестовый ток
    15 mA
    Тестовый ток 15 mA
  • Нормальное напряжение
    10 V
    Нормальное напряжение 10 V
  • Корпус
    SC-82A, SOT-343
    Корпус SC-82A, SOT-343
  • Исполнение корпуса
    CMPAK-4
    Исполнение корпуса CMPAK-4
  • Base Product Number
    BF120
    Base Product Number BF120
Техническая документация
 BF1201WR,115.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 123000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1069
    52 ₽

Минимально и кратно 1069 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BF1201WR,115
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343RВсе характеристики

Минимальная цена BF1201WR,115 при покупке от 1069 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BF1201WR,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BF1201WR,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel Dual Gate
    Тип транзистора N-Channel Dual Gate
  • Частота
    400MHz
    Частота 400MHz
  • Усиление
    29dB
    Усиление 29dB
  • Тестовое напряжение
    5 V
    Тестовое напряжение 5 V
  • Current Rating (Amps)
    30mA
    Current Rating (Amps) 30mA
  • Уровень шума
    1dB
    Уровень шума 1dB
  • Тестовый ток
    15 mA
    Тестовый ток 15 mA
  • Нормальное напряжение
    10 V
    Нормальное напряжение 10 V
  • Корпус
    SC-82A, SOT-343
    Корпус SC-82A, SOT-343
  • Исполнение корпуса
    CMPAK-4
    Исполнение корпуса CMPAK-4
  • Base Product Number
    BF120
    Base Product Number BF120
Техническая документация
 BF1201WR,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BF992,215Транзистор: MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
    PD84008L-EТранзистор: FET RF 25V 870MHZ
    AFV141KHSR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    MRF174Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    BLF8G20LS-200V,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B
    BLF6G22LS-180PN,11Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    MAGX-002731-180L00Транзистор: FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ
    PTFA212001F/1 P4Транзистор: IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
    BLA1011-2,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
    2N5953Транзистор: JFET N-CH 30V 5MA TO92
    BF245BТранзистор: JFET N-CH 30V 100MA TO92
    BLM7G1822S-40PBGYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
    MRFE6VP100HSR5FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
    BLP8G05S-200YТранзистор: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382
    BLF2425M7LS250P:11RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B
    MAGX-003135-120L00Транзистор: FET RF 65V 3.5GHZ
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    MMRF1014NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    SD2931-10WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП