Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF884PS,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLF884PS,112

BLF884PS,112

BLF884PS,112
;
BLF884PS,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF884PS,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121BВсе характеристики

Минимальная цена BLF884PS,112 при покупке от 1 шт 34180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF884PS,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF884PS,112

BLF884PS,112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Номинальное напряжение: 104В
    • Потребляемая мощность: 21дБм
    • Форм-фактор: SOT1121B
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированного оборудования для установки
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Подходит для систем мобильной связи и спутниковой связи
    • Способствует увеличению дальности действия и качества сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие гаджеты с беспроводной связью
    • Стационарные радиостанции и системы спутниковой связи
    • Телевизионные станции и другие передающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BLF884PS,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    650 mA
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    104 V
  • Корпус
    SOT-1121B
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    BLF884

Техническая документация

 BLF884PS,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 81 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    34 180 ₽
  • 20
    28 105 ₽
  • 40
    27 290 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF884PS,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121BВсе характеристики

Минимальная цена BLF884PS,112 при покупке от 1 шт 34180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF884PS,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF884PS,112

BLF884PS,112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Номинальное напряжение: 104В
    • Потребляемая мощность: 21дБм
    • Форм-фактор: SOT1121B
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированного оборудования для установки
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Подходит для систем мобильной связи и спутниковой связи
    • Способствует увеличению дальности действия и качества сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие гаджеты с беспроводной связью
    • Стационарные радиостанции и системы спутниковой связи
    • Телевизионные станции и другие передающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BLF884PS,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    650 mA
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    104 V
  • Корпус
    SOT-1121B
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    BLF884

Техническая документация

 BLF884PS,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G24LS-150GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLC8G20LS-400AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
    15 036Кешбэк 2 255 баллов
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    17 070Кешбэк 2 560 баллов
    BLC8G27LS-60AVYТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLF8G27LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    14 225Кешбэк 2 133 балла
    BLF8G24LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 068Кешбэк 2 260 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    17 580Кешбэк 2 637 баллов
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    16 007Кешбэк 2 401 балл
    BLF8G24LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    12 042Кешбэк 1 806 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 704Кешбэк 3 405 баллов
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 352Кешбэк 1 252 балла
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 068Кешбэк 2 260 баллов
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    12 042Кешбэк 1 806 баллов
    BLF6G15L-40BRN,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
    12 263Кешбэк 1 839 баллов
    BLF884PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
    34 180Кешбэк 5 127 баллов
    BLF884P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
    34 180Кешбэк 5 127 баллов
    2N4340JFET N-CH 50V TO18
    2 755Кешбэк 413 баллов
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    BLC2425M8LS300PZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501
    20 880Кешбэк 3 132 балла
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    19 681Кешбэк 2 952 балла
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    23 382Кешбэк 3 507 баллов
    VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    12 993Кешбэк 1 948 баллов
    BLF882SUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
    21 913Кешбэк 3 286 баллов
    BLF6G22LS-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    19 331Кешбэк 2 899 баллов
    BLF182XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    31 417Кешбэк 4 712 баллов
    BLF7G20LS-200,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    17 020Кешбэк 2 553 балла
    STAC2932FТранзистор: TRANS RF PWR N-CH STAC244F
    16 024Кешбэк 2 403 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП