BR25H010FVM-2CTR

BR25H010FVM-2CTR ROHM Semiconductor микросхема:

• Тип: EEPROM (Электрически программируемый встраиваемый память)
• Объем памяти: 1 килобит (1 KBIT)
• Интерфейс: SPI (Serial Peripheral Interface)
• Частота работы: 10 МГц
• Форм-фактор: 8MSOP (8-пиновый мелкосерийный пакет)

Основные параметры:

• Входное напряжение: 2,7 В – 5,5 В
• Потребляемая мощность: до 20 мВт
• Программируемость: электрическая
• Метод записи: однократная запись/многократная перезапись

Плюсы:

• Высокая надежность и долговечность
• Электрическая программируемость без необходимости дополнительного оборудования
• Маленький размер пакета
• Низкое потребление энергии

Минусы:

• Ограниченный объем памяти (1 килобит)
• Низкая скорость записи/чтения по сравнению с RAM

Общее назначение:

• Хранение настроек и конфигураций устройств
• Сохранение важной информации при отключении питания
• Создание загрузочных блоков для микроконтроллеров

В каких устройствах применяется:

• Микроконтроллеры
• Беспроводные устройства
• Устройства управления освещением
• Интеллектуальные датчики
• Автомобильные системы