Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BS107P
  • В избранное
BS107P

BS107P полевой транзистор, N-канал, 200В, 120мА, 500мВт

  • В избранное
BS107P — фото 1
BS107P — фото 1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    BS107P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена BS107P при покупке от 1 шт 152 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BS107P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 580 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    152 ₽
  • 10
    108 ₽
  • 25
    91 ₽
  • 100
    73 ₽
  • 500
    71 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики BS107P

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.6V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30Ohm @ 100mA, 5V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    BS107

Техническая документация

 BS107P.pdf
pdf. 0 kb

Описание BS107P

BS107P DIODES INCORPORATED MOSFET N-CH 200V 120mA TO92-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (Vgs(th)): не более 4 В
    • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (Vce): 200 В
    • Максимальный ток между коллектором и эмиттером (Ic): 120 мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток стока при отключенном канале
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Малая тепловая нагрузка
  • Минусы:
    • Низкий максимальный ток
    • Не подходит для высоковольтных приложений
    • Не рекомендуется для тяжелых нагрузок
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Изоляция между различными частями электронной схемы
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы и микроконтроллеры
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Телевизоры и другие виды электронной аппаратуры
    • Автомобильные системы управления
    • Мобильные устройства
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП