BSC190N12NS3GATMA1 транзистор, MOSFET N-CH, 120В, 8.6А, 69Вт

BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies — транзистор MOSFET N-канальный.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение коллектора-;base (V_GS) — 120В
• Максимальный ток дrain-source (I_D) — 8.6А при T_C = 25°C
• Максимальный ток дrain-source при максимальной температуре (I_D) — 44А при T_C = 250°C
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Высокие электрические характеристики
• Компактная конструкция TDSON
• Низкое значение R_DS(on)
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
• Требует внимания к проектированию для предотвращения перегрева
• Общее назначение:
• Управление нагрузками в различных приборах и системах
• Регулирование тока в электронных устройствах
• Изоляция сигналов и управление высокими напряжениями
• Применение:
• Автомобильные системы
• Промышленное оборудование
• Энергосберегающие устройства
• Системы управления электропитанием