BSM10GD120DN2E3224BOSA1 транзистор IGBT модуль, Full Bridge, 1200В, 15А, 80Вт

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 — транзистор Infineon Technologies типа IGBT модуль. Основные параметры:

• Уровень напряжения: 1200В
• Максимальный ток: 15А
• Мощность: 80Вт

Плюсы:

• Высокая эффективность: благодаря современным технологиям производства, обеспечивает низкую потери энергии.
• Устойчивость к перегрузкам: способен выдерживать кратковременные перегрузки без повреждений.
• Простота управления: позволяет легко управлять нагрузкой с помощью стандартных сигналов.
• Малый размер и вес: компактная конструкция, что облегчает установку в различных устройствах.

Минусы:

• Высокая стоимость: относительно дорогой по сравнению с другими типами транзисторов.
• Требует дополнительного охлаждения: при высоких мощностях может требовать специального охлаждения для предотвращения перегрева.

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих высокого уровня регулирования мощности, таких как:

• Инверторы для преобразования прямого тока в переменный
• Питание электромобилей
• Системы управления двигателем
• Большие промышленные установки