Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули

Транзисторы - IGBT - модули

Популярные
Количество
BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

BSM100GB120DN2KHOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 6,5 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 145 А, корпус модуль

4 шт - в наличии

693 шт - 3-6 недель

23 115 ₽

1 шт — 23 115 ₽

3 шт — 21 014 ₽

F4150R12KS4BOSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

F4150R12KS4BOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 10 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 180 А, корпус модуль

5 шт - 3-6 недель

38 927 ₽

1 шт — 38 927 ₽

3 шт — 34 940 ₽

NXH350N100H4Q2F2PG

onsemi

NXH350N100H4Q2F2PG
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 24,146 нФ @ 20 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1000 В, максимальный ток коллектора (Ic) 303 А

222 уп. - 3-6 недель

754 920 ₽ / уп.

36 шт. в упаковке • 20970 ₽ за ед.

FS10R06VL4B2BOMA1

Infineon Technologies

FS10R06VL4B2BOMA1
Транзистор: IGBT MODULE LOW PWR EASY750-1

212 уп. - 3-6 недель

54 570 ₽ / уп.

17 шт. в упаковке • 3210 ₽ за ед.

BSM100GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

BSM100GB120DN2HOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 6,5 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 150 А, корпус модуль

3458 шт - 3-6 недель

43 945 ₽

1 шт — 43 945 ₽

F43L50R07W2H3FB11BPSA2

INFINEON TECHNOLOGIES

F43L50R07W2H3FB11BPSA2
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 3,1 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 50 А, корпус модуль

670 уп. - 3-6 недель

60 255 ₽ / уп.

5 шт. в упаковке • 12209 ₽ за ед.

DF150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

DF150R12RT4HOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 9,3 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 150 А, корпус модуль

1093 уп. - 3-6 недель

60 282 ₽ / уп.

3 шт. в упаковке • 20094 ₽ за ед.

SNXH80T120L2Q0P2G

onsemi

SNXH80T120L2Q0P2G
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 19,4 нФ @ 20 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 67 А, корпус модуль

109 уп. - 3-6 недель

254 616 ₽ / уп.

24 шт. в упаковке • 10609 ₽ за ед.

FP50R06W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

FP50R06W2E3B11BOMA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 3,1 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 65 А, корпус модуль

268 уп. - 3-6 недель

55 736 ₽ / уп.

8 шт. в упаковке • 6967 ₽ за ед.

IM241S6S1JAUMA1

INFINEON

IM241S6S1JAUMA1
IGBT-модуль: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, корпус 23-SOP, поверхностный монтаж (SMD), рабочая температура -40…150 °C (TJ)

1457 шт - 3-6 недель

972 ₽

1 шт — 972 ₽

5 шт — 830 ₽

FP15R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

FP15R12KE3GBOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 1,1 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 25 А, корпус модуль

288 уп. - 3-6 недель

56 060 ₽ / уп.

5 шт. в упаковке • 11212 ₽ за ед.

FF300R17ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

FF300R17ME4PB11BPSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 24,5 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1700 В, максимальный ток коллектора (Ic) 600 А, корпус модуль

585 уп. - 3-6 недель

57 276 ₽ / уп.

2 шт. в упаковке • 28638 ₽ за ед.

FP30R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

FP30R06W1E3B11BOMA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 1,65 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 37 А, корпус модуль

108 уп. - 3-6 недель

54 380 ₽ / уп.

10 шт. в упаковке • 5438 ₽ за ед.

FPF2C110BI07AS2

Fairchild Semiconductor

FPF2C110BI07AS2
IGBT-модуль: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 40 А, обратный ток коллектора (Max) 250 мкА, корпус F2

262 уп. - 3-6 недель

57 368 ₽ / уп.

4 шт. в упаковке • 14342 ₽ за ед.

FF225R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF225R17ME4BOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 18,5 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1700 В, максимальный ток коллектора (Ic) 340 А, корпус модуль

1040 шт - 3-6 недель

26 066 ₽

1 шт — 26 066 ₽

2 шт — 25 595 ₽

NXH80T120L2Q0S2TG

onsemi

NXH80T120L2Q0S2TG
Транзистор: MODULE PIM 1200V 80A

200 уп. - 3-6 недель

59 890 ₽ / уп.

5 шт. в упаковке • 11978 ₽ за ед.

FF450R07ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF450R07ME4BOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 27,5 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 450 А, корпус модуль

3 шт - 3-6 недель

51 338 ₽

2 шт — 25 669 ₽

10 шт — 21 297 ₽

FP06R12W1T4B3BOMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

FP06R12W1T4B3BOMA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 600 пФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 12 А, корпус модуль

22 шт - 3-6 недель

6 684 ₽

1 шт — 6 684 ₽

3 шт — 6 002 ₽

FD300R12KS4B5HOSA1

Infineon Technologies

FD300R12KS4B5HOSA1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 20 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 370 А, корпус модуль

341 уп. - 3-6 недель

58 958 ₽ / уп.

2 шт. в упаковке • 29479 ₽ за ед.

FDDF80R12W1H3B52BOMA1

Infineon Technologies

FDDF80R12W1H3B52BOMA1
Транзистор: IGBT MODULE

74 уп. - 3-6 недель

56 754 ₽ / уп.

9 шт. в упаковке • 6306 ₽ за ед.

Транзисторы - IGBT - модули — 0 , актуальные цены и наличие на складе

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляют собой интегрированные устройства, которые объединяют несколько IGBT транзисторов в одном корпусе для упрощения процесса проектирования и улучшения производительности. Они сочетают в себе высокую эффективность и скорость переключения полевых транзисторов с высокой напряженностью и большим током биполярных транзисторов, делая их идеальными для управления мощными электрическими нагрузками.

Ключевые характеристики модулей IGBT включают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, при котором модуль может безопасно работать;
  • максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через модуль;
  • температурный диапазон. Определяет диапазон рабочих температур, в котором модуль может функционировать без снижения характеристик;
  • время включения/выключения (tr/tf). Время, необходимое для переключения модуля из одного состояния в другое;
  • тепловое сопротивление. Способность модуля отводить выделяемое тепло.

Применение модулей IGBT

Модули IGBT широко используются в различных областях, где требуется управление большой мощностью:

  • преобразователи и инверторы. В преобразователях частоты для управления скоростью двигателей и в солнечных инверторах;
  • электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
  • системы бесперебойного питания (UPS). Для управления мощностью и обеспечения надежного электропитания;
  • высоковольтные приложения. В подстанциях и системах передачи электроэнергии.

Интеграция и использование

При интеграции модулей IGBT в системы управления мощностью важно учитывать их электрические и тепловые характеристики, чтобы обеспечить надежную и эффективную работу. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, используя радиаторы или другие средства охлаждения, и следить за тем, чтобы рабочие параметры оставались в пределах допустимых значений.

Также важно учитывать совместимость с другими компонентами системы, включая драйверы управления, защитную логику и системы мониторинга. Использование модулей IGBT позволяет разработчикам создавать мощные и эффективные системы управления для широкого спектра промышленных и коммерческих приложений, обеспечивая высокую производительность и надежность.

Транзисторы - IGBT - модули (Дискретные полупроводники)

Силовые ключи для современной индустрии: как IGBT-модули управляют мощностью

Представьте себе огромный промышленный двигатель, плавно меняющий скорость вращения, или скоростной электропоезд, разгоняющийся без рывков. За этой кажущейся простотой скрывается сложнейшая работа по преобразованию энергии, и сердцем таких систем являются IGBT-модули. Это не просто транзисторы, а высокотехнологичные сборки, объединяющие в одном корпусе силовой ключ и всю обвязку, необходимую для его эффективной и безопасной работы. Они выступают в роли сверхбыстрых и надежных переключателей, способных управлять колоссальными токами и напряжениями, превращая постоянный ток в переменный с точно заданными параметрами. Именно это преобразование лежит в основе управления современными электродвигателями, что делает IGBT-модули незаменимыми в самых требовательных отраслях, где важны точность, надежность и эффективность.

От лабораторий к конвейерам: эволюция и реализация технологии

Технология IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) удачно объединила лучшие черты двух миров: высокое входное сопротивление и простота управления полевого MOSFET-транзистора с низким падением напряжения в открытом состоянии, характерным для биполярных транзисторов. Эта гибридная природа позволила создать компоненты, идеально подходящие для работы на средних и высоких частотах при больших мощностях. Конструкция модуля подразумевает, что один или несколько кристаллов IGBT и их антипараллельные диоды смонтированы на изолированной подложке, обеспечивающей эффективный отвод тепла, и заключены в прочный корпус с мощными силовыми выводами. Такая компоновка не только оптимизирует теплорассеивание, но и значительно упрощает монтаж на систему охлаждения, что критически важно для сборки инверторов и частотных преобразователей. Производители постоянно работают над уменьшением потерь при переключении и в открытом состоянии, разрабатывая новые серии, такие как IRAMx, EconoDUAL™ или PrimePACK™, каждая из которых оптимизирована под конкретные задачи и диапазоны мощностей.

Мощный IGBT-модуль серии EconoDUAL на теплоотводящей подложке

Где встречаются и как выбрать: от ветряков до кухонной техники

Сферы применения IGBT-модулей невероятно обширны. В промышленности это – станки с ЧПУ, сварочные аппараты и мощные источники бесперебойного питания (ИБП) для центров обработки данных. В энергетике они являются ключевым элементом в преобразователях для солнечных электростанций и ветрогенераторов, а также в системах передачи постоянного тока высокого напряжения (HVDC). На транспорте без них не обходится ни один современный электромобиль, трамвай или локомотив, где инверторы преобразуют энергию аккумуляторов в переменный ток для тяговых двигателей. Даже в быту, в кондиционерах и индукционных варочных панелях, работают компактные модули, отвечающие за точный контроль температуры и мощности. Выбор конкретного модуля зависит от нескольких критических параметров: коллектор-эмиттерное напряжение (Vces), которое должно быть с запасом выше рабочего, номинальный ток коллектора (Ic) при определенной температуре, величина потерь на переключение и в открытом состоянии, а также тип и качество внутренней изоляции подложки, что напрямую влияет на надежность всей системы.

На что смотреть при подборе IGBT-модуля

Выбор подходящего модуля – это всегда поиск баланса между техническими требованиями проекта и бюджетом. Ключевыми отправными точками являются:

  • Напряжение VCES: определяет запас прочности по напряжению в вашей схеме. Стандартные ряды: 600В, 1200В, 1700В, 3300В и выше. Для сетевого напряжения 400В обычно выбирают модули на 1200В.
  • Ток коллектора IC: номинальный ток указывается для определенной температуры корпуса (обычно 80°C или 100°C). Важно учитывать реальные температурные условия и необходимый запас по току.
  • Тепловое сопротивление: параметры Rth(j-c) и Rth(j-s) показывают, насколько хорошо кристалл передает тепло на корпус и радиатор. Чем они ниже, тем эффективнее охлаждение.
  • Внутренняя конструкция: полумост, полный мост, трехфазный инвертор или одиночный топологический ключ. Выбор конфигурации определяет архитектуру вашего преобразователя и simplify монтаж.
  • Производитель: доверять стоит проверенным брендам, чья продукция имеет безупречную репутацию в индустрии, таким как Infineon, Fuji Electric, SEMIKRON, Mitsubishi Electric.

Почему заказ IGBT-модулей доверяют именно «Эиком Ру»

Обращаясь в «Эиком Ру», вы получаете не просто доступ к обширному каталогу электронных компонентов от ведущих мировых производителей, а надежного партнера, который гарантирует подлинность и безупречное качество каждой поставки. Мы тщательно проверяем всю продукцию, чтобы вы были уверены в соответствии заявленных характеристик и долговечности компонентов. Наши специалисты всегда готовы предоставить профессиональную консультацию по подбору аналогов и техническую поддержку на всех этапах реализации вашего проекта. Мы стремимся сделать сотрудничество максимально выгодным, предлагая конкурентные цены и программу лояльности для постоянных клиентов. А главное – для всех заказов действует бесплатная доставка по всей территории Российской Федерации, что позволяет оптимизировать логистические расходы и получать необходимые компоненты быстро и удобно.

Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП