FS10R06VL4B2BOMA1

FS10R06VL4B2BOMA1 Infineon Technologies ИГБТ модуль:

• LOW PWR EASY750-1

Основные параметры:

• Рейтингная мощность: 750 В
• Номинальный ток: 10 А
• Максимальное напряжение: 1200 В
• Тип: ИГБТ (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Тип корпуса: DPAK
• Потребляемая мощность: низкая (LOW PWR)

Плюсы:

• Высокая эффективность работы
• Низкий тепловой дросселинг
• Удобство монтажа и применения
• Высокий коэффициент надежности

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок

Общее назначение:

• Использование в системах управления приводами
• Применение в источниках питания
• Работа в сетях переменного тока
• Контроль и управление электрическими нагрузками

В каких устройствах применяется:

• Промышленное оборудование
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы управления ветровыми турбинами
• Системы управления солнечными панелями
• Электрооборудование бытовой техники