F43L50R07W2H3FB11BPSA2

F43L50R07W2H3FB11BPSA2 транзистор IGBT модуль, Trench Field Stop, 650В, 50А, 20мВт

В избранное

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул:
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Описание:
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 3,1 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 50 А, корпус модульВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 12 209 ₽/шт, купить F43L50R07W2H3FB11BPSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

5 упаковок
3-6 недель

15 шт. в упаковке • 12209 ₽ за шт.

0 упаковок (1 шт.)

Количество
Цена с НДС
1 уп. (15 шт)
183 135 ₽/уп

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

F43L50R07W2H3FB11BPSA2 транзистор IGBT модуль, Trench Field Stop, 650В, 50А, 20мВт

Характеристики

Техническая документация

Описание

Альтернативные маркировки