FDDF80R12W1H3B52BOMA1

FDDF80R12W1H3B52BOMA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MODULE

• Основные параметры:
  • Максимальный напряжение коллектора-эмиттера (V_CEO) - 800 В
  • Максимальный ток коллектора (I_CM) - 120 А
  • Коэффициент силуминового корпуса (H_FE) - 3
  • Температурный коэффициент (B_T) - 52 мВ/°C
  • Номер партии (BOMA1)
• Плюсы:
  • Высокая мощность и надежность
  • Эффективное управление теплом благодаря силуминовому корпусу
  • Малый размер и легкость в установке
  • Устойчивость к скачкам напряжения
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
  • Переключение высоковольтных и высокотоковых цепей
  • Регулирование напряжения в источниках питания
  • Привод управления электродвигателями
• Применение в устройствах:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Источники питания для серверных систем
  • Промышленные приводы
  • Солнечные панели и системы хранения энергии