DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 1200 В
• Номинальный ток: 150 А
• Мощность: 790 Вт
• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе
• Долгий срок службы
• Устойчивость к перегреву
• Простота интеграции в системы
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует специального оборудования для монтажа
• Общее назначение:
• Использование в промышленных электроприводах
• В автомобилестроении для систем управления двигателем
• В солнечных батареях для управления током
• В системах хранения энергии