BSS138-7-F транзистор, MOSFET N-канал, 50В, 200мА, 3.5Ом

BSS138-7-F DIODES INCORPORATED

• Транзистор: MOSFET N-канальный
• Номинальное напряжение коллектора-;base: 50В
• Номинальный ток дrain-source: 200mA
• Пакет: SOT23-3

Основные параметры:

• Резистивность транзистора (Rds(on)): около 40мО при 2.5В
• Температурный коэффициент Rds(on): +120мО/°C
• Максимальная рабочая температура: +150°C
• Максимальная мощность: 350mW

Плюсы:

• Высокий КПД
• Низкое значение Rds(on)
• Малый размер и легкий вес из-за компактного пакета SOT23-3
• Хорошая термическая стабильность

Минусы:

• Максимальный ток дrain-source ограничен 200mA, что может быть недостаточно для некоторых приложений
• Не рекомендуется использовать при высоких температурах свыше +150°C

Общее назначение:

• Использование в цифровых и аналоговых цепях
• Активное управление нагрузкой в схемах питания
• Защита от перегрузки и короткого замыкания

Применение:

• Цифровые электронные устройства
• Микроконтроллеры и микросхемы
• Питание периферийных устройств
• Мелкие электронные приборы и гаджеты