BZT52B8V2S RRG от 8 ₽ доступно 1314 шт TAIWAN SEMICONDUCTOR

BZT52B8V2S RRG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул:
BZT52B8V2S RRG
Описание:
Диод: стабилитрон; 0,2Вт; 8,2В; 5мА; SMD; бобина,лента; SOD323F

Минимальная цена BZT52B8V2S RRG при покупке от 1 шт 17.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B8V2S RRG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B8V2S RRG

Разрешенные параметры диода BZT52B8V2S RRG:

Мощность: 0,2 Вт
Напряжение стабилизации: 8,2 В
Текущий стабилизации: 5 мА
Формат: SMD (Surface Mount Device)
Оболочка: SOD323F (двойная оболочка)

Плюсы:

Экономичность: Низкая потребляемая мощность.
Компактность: Сочетание малого размера с высокой надежностью.
Устойчивость: Высокая устойчивость к воздействиям.

Минусы:

Граничные условия: Не рекомендуется использовать при очень высоких или низких температурах без дополнительного охлаждения.
Конструкция: Двойная оболочка может ограничивать тепловую передачу.

Общее назначение:

Стабилизация напряжения.
Защита от перегрузок: Защита электронных устройств от превышения напряжения.

Применение в устройствах:

Смартфоны и другие мобильные устройства.
Автомобильные системы.
Портативные зарядные устройства.
Компьютеры и серверы.

250 шт
в наличии
1064 шт
3-6 недель

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул:
BZT52B8V2S RRG
Описание:
Диод: стабилитрон; 0,2Вт; 8,2В; 5мА; SMD; бобина,лента; SOD323F

Описание BZT52B8V2S RRG

Разрешенные параметры диода BZT52B8V2S RRG:

Мощность: 0,2 Вт
Напряжение стабилизации: 8,2 В
Текущий стабилизации: 5 мА
Формат: SMD (Surface Mount Device)
Оболочка: SOD323F (двойная оболочка)

Плюсы:

Экономичность: Низкая потребляемая мощность.
Компактность: Сочетание малого размера с высокой надежностью.
Устойчивость: Высокая устойчивость к воздействиям.

Минусы:

Граничные условия: Не рекомендуется использовать при очень высоких или низких температурах без дополнительного охлаждения.
Конструкция: Двойная оболочка может ограничивать тепловую передачу.

Общее назначение:

Стабилизация напряжения.
Защита от перегрузок: Защита электронных устройств от превышения напряжения.

Применение в устройствах:

Смартфоны и другие мобильные устройства.
Автомобильные системы.
Портативные зарядные устройства.
Компьютеры и серверы.

BZT52B8V2S RRG

BZT52B8V2S RRG

Описание BZT52B8V2S RRG

Описание BZT52B8V2S RRG

Похожие товары