Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
CAS300M12BM2
  • В избранное
  • В сравнение
CAS300M12BM2

CAS300M12BM2

CAS300M12BM2
;
CAS300M12BM2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CAS300M12BM2
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена CAS300M12BM2 при покупке от 1 шт 144691.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CAS300M12BM2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CAS300M12BM2

CAS300M12BM2 Wolfspeed Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 1200В
    • Максимальный ток прямого тока: 404А
    • Тип: MOSFET (D-MOSFET)
    • Количество каналов: 2N-CH
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и низкий сопротивление при прохождении тока
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительной термической защиты
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании устройств
    • Управление током в электрических цепях
    • Эффективное управление мощностью в различных приборах и системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Питание серверных шкафов и компьютерных систем
    • Мощные инверторы для преобразования напряжения
    • Системы управления двигателей электромобилей
Выбрано: Показать

Характеристики CAS300M12BM2

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    423A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.7mOhm @ 300A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 15mA (Typ)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1025nC @ 20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    19.5nF @ 800V
  • Рассеивание мощности
    1660W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module, Screw Terminals
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    CAS300

Техническая документация

 CAS300M12BM2.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    144 691 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CAS300M12BM2
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена CAS300M12BM2 при покупке от 1 шт 144691.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CAS300M12BM2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CAS300M12BM2

CAS300M12BM2 Wolfspeed Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 1200В
    • Максимальный ток прямого тока: 404А
    • Тип: MOSFET (D-MOSFET)
    • Количество каналов: 2N-CH
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и низкий сопротивление при прохождении тока
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительной термической защиты
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании устройств
    • Управление током в электрических цепях
    • Эффективное управление мощностью в различных приборах и системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Питание серверных шкафов и компьютерных систем
    • Мощные инверторы для преобразования напряжения
    • Системы управления двигателей электромобилей
Выбрано: Показать

Характеристики CAS300M12BM2

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    423A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.7mOhm @ 300A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 15mA (Typ)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1025nC @ 20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    19.5nF @ 800V
  • Рассеивание мощности
    1660W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module, Screw Terminals
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    CAS300

Техническая документация

 CAS300M12BM2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 187Кешбэк 1 228 баллов
    IXFN180N25TMOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
    5 384Кешбэк 807 баллов
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 265Кешбэк 1 389 баллов
    IXTN46N50LMOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    10 644Кешбэк 1 596 баллов
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    11 170Кешбэк 1 675 баллов
    IXTN8N150LMOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
    8 626Кешбэк 1 293 балла
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    11 036Кешбэк 1 655 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 773Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    10 873Кешбэк 1 630 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 314Кешбэк 947 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 455Кешбэк 1 118 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    8 507Кешбэк 1 276 баллов
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    7 148Кешбэк 1 072 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    8 029Кешбэк 1 204 балла
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    5 875Кешбэк 881 балл
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 015Кешбэк 1 352 балла
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 073Кешбэк 760 баллов
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 082Кешбэк 1 362 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 603Кешбэк 990 баллов
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    10 103Кешбэк 1 515 баллов
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    9 363Кешбэк 1 404 балла
    IXFN32N120PMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
    13 343Кешбэк 2 001 балл
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 712Кешбэк 856 баллов
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    5 419Кешбэк 812 баллов
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 802Кешбэк 570 баллов
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    7 613Кешбэк 1 141 балл
    IXFN44N80Q3MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
    11 359Кешбэк 1 703 балла
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    8 871Кешбэк 1 330 баллов
    IXFN44N100Q3MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
    13 410Кешбэк 2 011 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП