Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
CGH40120F
CGH40120F

CGH40120F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGH40120F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193Все характеристики

Минимальная цена CGH40120F при покупке от 1 шт 111044.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH40120F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH40120F

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 4GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    28A
  • Тестовый ток
    1 A
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440193
  • Исполнение корпуса
    440193
  • Base Product Number
    CGH40
Техническая документация
 CGH40120F.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 230 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    111 044 ₽
  • 10
    85 647 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGH40120F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193Все характеристики

Минимальная цена CGH40120F при покупке от 1 шт 111044.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH40120F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH40120F

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 4GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    28A
  • Тестовый ток
    1 A
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440193
  • Исполнение корпуса
    440193
  • Base Product Number
    CGH40
Техническая документация
 CGH40120F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLC9G20LS-120VYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753
    11 617Кешбэк 1 742 балла
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    122 388Кешбэк 18 358 баллов
    MRF160Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 249-06
    12 061Кешбэк 1 809 баллов
    AFT21S140W02SR3Транзистор
    25 459Кешбэк 3 818 баллов
    BLF573,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
    33 680Кешбэк 5 052 балла
    BLF2425M8L140UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
    26 351Кешбэк 3 952 балла
    BLL8H0514LS-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
    23 928Кешбэк 3 589 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    17 036Кешбэк 2 555 баллов
    BLC9G20LS-361AVTYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    14 966Кешбэк 2 244 балла
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
    7 059Кешбэк 1 058 баллов
    BLF8G20LS-230VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    13 725Кешбэк 2 058 баллов
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    373Кешбэк 55 баллов
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    4 279Кешбэк 641 балл
    MHT1008NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS PLD1.5W
    2 310Кешбэк 346 баллов
    SD2943WТранзистор: TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177
    29 702Кешбэк 4 455 баллов
    BLC8G27LS-100AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    13 290Кешбэк 1 993 балла
    AFT09MP055NR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
    6 976Кешбэк 1 046 баллов
    BLF174XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A
    35 359Кешбэк 5 303 балла
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    4 413Кешбэк 661 балл
    MRF5S9101NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO-270-4
    8 415Кешбэк 1 262 балла
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    92 607Кешбэк 13 891 балл
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 358Кешбэк 2 153 балла
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 486Кешбэк 522 балла
    MRF140Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    28 811Кешбэк 4 321 балл
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    14 454Кешбэк 2 168 баллов
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    19 998Кешбэк 2 999 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 310Кешбэк 2 296 баллов
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    53Кешбэк 7 баллов
    MRF6S19100NBR1Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    10 116Кешбэк 1 517 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    18 228Кешбэк 2 734 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП