Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
CGHV14250F
CGHV14250F

CGHV14250F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV14250F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440162Все характеристики

Минимальная цена CGHV14250F при покупке от 1 шт 115126.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV14250F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV14250F

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    1.2GHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    42mA
  • Тестовый ток
    500 mA
  • Мощность передачи
    330W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    440162
  • Исполнение корпуса
    440162
  • Base Product Number
    CGHV14250
Техническая документация
 CGHV14250F.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 45 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    115 126 ₽
  • 10
    100 796 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV14250F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440162Все характеристики

Минимальная цена CGHV14250F при покупке от 1 шт 115126.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV14250F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV14250F

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    1.2GHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    42mA
  • Тестовый ток
    500 mA
  • Мощность передачи
    330W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    440162
  • Исполнение корпуса
    440162
  • Base Product Number
    CGHV14250
Техническая документация
 CGHV14250F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PD57060-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    11 783Кешбэк 1 767 баллов
    NE651R479A-T1-AТранзистор: FET RF 8V 1.9GHZ 79A
    1 455Кешбэк 218 баллов
    PD55015TR-EТранзистор: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    4 415Кешбэк 662 балла
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    63 765Кешбэк 9 564 балла
    CGHV40100PТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440206
    73 088Кешбэк 10 963 балла
    BLC8G27LS-60AVYТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    8 160Кешбэк 1 224 балла
    BLF7G20LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    14 119Кешбэк 2 117 баллов
    AFT18P350-4S2LR6Транзистор: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
    53 918Кешбэк 8 087 баллов
    BLF184XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B
    46 476Кешбэк 6 971 балл
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    20Кешбэк 3 балла
    MRF8S23120HR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    17 141Кешбэк 2 571 балл
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    15 756Кешбэк 2 363 балла
    BLF7G24LS-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    24 990Кешбэк 3 748 баллов
    PD57070-EТранзистор
    11 886Кешбэк 1 782 балла
    BLF2425M8L140UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
    27 119Кешбэк 4 067 баллов
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    40 225Кешбэк 6 033 балла
    BLC8G20LS-400AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
    15 723Кешбэк 2 358 баллов
    BLF174XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A
    36 389Кешбэк 5 458 баллов
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    17 368Кешбэк 2 605 баллов
    PD85035STR-EТранзистор: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    6 277Кешбэк 941 балл
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 286Кешбэк 192 балла
    BLA1011-2,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
    15 867Кешбэк 2 380 баллов
    BLA1011S-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
    63 678Кешбэк 9 551 балл
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    54Кешбэк 8 баллов
    BLC8G24LS-241AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521
    11 508Кешбэк 1 726 баллов
    BLC8G27LS-100AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    13 678Кешбэк 2 051 балл
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    7 005Кешбэк 1 050 баллов
    BLF8G10LS-300PJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    17 308Кешбэк 2 596 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    114 279Кешбэк 17 141 балл
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    213Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП