CY14B104LA-ZS25XI

Чип CY14B104LA-ZS25XI Cypress Semiconductor Corp:

• Тип: Невolatile Static Random Access Memory (NVSRAM)
• Объем: 4Мбит
• Страничный режим: PAR (Page Address Register)
• Пакет: 44-핀 TSOP II

Основные параметры:

• Время записи/чтения: ≤ 30 нс
• Время перезаписи: ≥ 10 мкс
• Питание: 2,7 В - 5,5 В
• Рабочая температура: -40°C до +85°C

Плюсы:

• Высокая скорость записи и чтения данных
• Невосприимчивость к питанию при работе
• Простота интеграции в системы

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Ограниченный объем памяти по сравнению с современными NAND Flash

Общее назначение:

• Хранение критически важной информации
• Поддержка конфигурационных данных
• Буферизация данных для быстрого доступа

Применение в устройствах:

• Компьютерное оборудование
• Телекоммуникационные устройства
• Автомобильные системы
• Медицинское оборудование
• Системы управления производством