CY7C1041GE-10VXI

Маркировка CY7C1041GE-10VXI, производитель Infineon Technologies, обозначает микросхему SRAM (Синхронная память с отражением) объемом 4 Мбит (512 килобайт) в параллельном режиме.

• Основные параметры:
• Тип: SRAM (синхронная память с отражением)
• Объем: 4 Мбит (512 килобайт)
• Размер пакета: 44 SOJ (Surface Mount J-leaded)
• Напряжение питания: 3.0 В
• Частота работы: до 83 МГц
• Плюсы:
• Высокая скорость доступа к данным
• Устойчивость к помехам благодаря синхронной структуре
• Простота использования в системах с высокими требованиями к производительности
• Устойчивость к битовым ошибкам благодаря проверке и коррекции
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с НРАМом
• Занимает больше места на печатной плате из-за большого объема памяти
• Высокое энергопотребление по сравнению с НРАМом
• Общее назначение:
• Буферизация данных для быстрого доступа
• Хранение конфигурационной информации для микроконтроллеров и микропроцессоров
• Кэширование данных в системах с высокой нагрузкой
• Временное хранение данных для временных операций
• Применение:
• Мобильные устройства (например, смартфоны, планшеты)
• Компьютеры и серверы
• Автомобили (автоматизированные системы управления)
• Интеллектуальные системы контроля и управления