CY7C1312BV18-200BZXC

CY7C1312BV18-200BZXC Cypress Semiconductor Corp Микросхема:

• Тип: SRAM (память с битовым доступом)
• Объем: 18 Мбит
• Интерфейс: параллельный
• Количество контактов: 165 FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Напряжение питания: 2,5 В
• Частота работы: до 133 МГц
• Технология: 90 нм
• Паритетная ошибка коррекции (ECC): нет

Плюсы:

• Высокая плотность хранения информации
• Быстрый доступ к данным
• Минимальное энергопотребление
• Устойчивость к воздействию электромагнитных помех

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Необходимость постоянного питания для сохранения данных
• Занимает больше места на чипе по сравнению с DRAM при одинаковом объеме памяти

Общее назначение:

• Хранение кратковременных данных в системах управления и процессорах
• Кэш-память в процессорах
• Буферизация данных в сетевых устройствах и коммутаторах
• Системы хранения временных данных в серверах и рабочих станциях

Применяется в:

• Системах управления и процессорах
• Процессорах мобильных устройств
• Сетевых устройствах и коммутаторах
• Серверах и рабочих станциях