CY7C1312KV18-250BZI

CY7C1312KV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp

• Микросхема: SRAM (память с непрерывным доступом)
• Объем памяти: 18 Мбит
• Тип интерфейса: параллельный
• Количество битов на шине данных: 16 бит
• Количество пакетов буферизации: 165 FBGA (Flip-Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Рабочая температура: от -40°C до +85°C
• Напряжение питания: 2,5 В - 3,6 В
• Частота работы: до 100 МГц

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Многослойная структура памяти для быстрого доступа к данным
• Устойчивость к ошибкам благодаря проверке четности
• Малый размер и высокая плотность интеграции

Минусы:

• Энергопотребление выше по сравнению с DRAM
• Не сохраняет данные при отключении питания

Общее назначение:

• Буферизация данных
• Хранение временных данных в системах управления
• Кэширование данных в процессорах
• Обработка больших объемов данных в реальном времени

Применение в устройствах:

• Системы управления
• Процессоры
• Измерительные приборы
• Системы хранения данных
• Медицинское оборудование