CY7C1314JV18-250BZXC

Чип CY7C1314JV18-250BZXC от компании Cypress Semiconductor Corp:

• Тип: SRAM (Синхронная случайно доступная память)
• Объем: 18 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Форм-фактор: 165 FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Напряжение питания: 1.8 В
• Частота работы: до 200 МГц
• Время доступа: 10 нс
• Проверка на ошибки: Нет
• Асинхронное питание: Нет

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Малый размер
• Высокая плотность памяти
• Стабильность при работе

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Необходимость постоянного поддержания напряжения питания
• Не подходит для больших объемов данных

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах и графических адаптерах
• Буферная память в системах хранения данных
• Специализированные приложения, требующие быстрого доступа к данным

Применение в устройствах:

• Ноутбуки и персональные компьютеры
• Мобильные устройства
• Видеокарты и графические процессоры
• Телекоммуникационные системы
• Автомобильные системы