CY7C1320KV18-250BZXC

CY7C1320KV18-250BZXC Infineon Technologies Микросхема:

• Тип: SRAM (Синхронная память с разрядным регистром)
• Объем: 18 Мбит (2,25 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Количество битов на шине данных: 16 бит
• Форм-фактор: 165 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: 250 МГц
• Входное напряжение: 1,8 В
• Температурный диапазон: -40°C до +85°C
• Тип кэширования: Буферное кэширование

Плюсы:

• Высокая скорость работы (250 МГц)
• Надежность благодаря использованию SRAM технологии
• Малый размер за счет использования FBGA форм-фактора
• Высокая плотность памяти для своего класса

Минусы:

• Высокое энергопотребление по сравнению с нерегистрерными памятью
• Высокая стоимость по сравнению с менее производительными типами памяти

Общее назначение:

• Хранение временных данных в высокопроизводительных системах
• Кэширование данных в процессорах и графических адаптерах
• Обработка больших объемов данных в научных вычислениях и анализе данных

Применяется в:

• Процессорах высокой производительности
• Графических адаптерах для обработки больших объемов данных
• Системах анализа данных и научных вычислений
• Медицинских аппаратах с высокими требованиями к скорости обработки данных