CY7C1363B-117BGC

Маркировка CY7C1363B-117BGC:

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Тип микросхемы: Кэш SRAM (Случайно доступная память)
• Объем памяти: 512КБ x 18 бит
• Частота работы: 7.5 Нс (наносекунды)

Основные параметры:

• Размер памяти: 512КБ x 18 бит обеспечивает высокую плотность данных для кэш-памяти.
• Ширина шины: 18 бит позволяет передавать большие объемы данных за один цикл.
• Частота: 7.5 Нс указывает на скорость доступа к данным, что важно для высокопроизводительных систем.

Плюсы:

• Высокая скорость доступа: 7.5 Нс обеспечивает быстрый доступ к данным, что критично для многозадачных систем.
• Плотность данных: 512КБ x 18 бит позволяет эффективно использовать пространство.
• Стабильность: SRAM известна своей надежностью и стабильностью.

Минусы:

• Высокая стоимость: SRAM обычно дороже DRAM из-за более сложной конструкции.
• Энергопотребление: SRAM потребляет больше энергии по сравнению с DRAM.

Общее назначение:

• Кэш-память: Используется для кэширования часто используемых данных для ускорения доступа.

Применение:

• Процессоры: Встроена в процессоры для ускорения доступа к часто используемым данным.
• Мобильные устройства: Используется в смартфонах и планшетах для кэширования операционной системы и приложений.
• Системы хранения данных: Может использоваться для кэширования в системах хранения данных.