CY7C1518KV18-250BZI

CY7C1518KV18-250BZI Infineon Technologies микросхема: это интегральный синхронный SRAM (память с одновременным доступом) объемом 72 Мбит, использующий параллельную шину и упаковку FBGA (Flip Chip Ball Grid Array) с 165 контактами.

• Основные параметры:
• Объем памяти: 72 Мбит
• Тип памяти: SRAM (синхронная)
• Шина: параллельная
• Количество контактов: 165 FBGA
• Технология производства: 130 нм
• Рабочая температура: от -40°C до +85°C
• Плюсы:
• Высокая скорость работы благодаря синхронной структуре
• Устойчивость к помехам из-за синхронного доступа
• Большой объем памяти для быстрого доступа
• Малый размер благодаря использованию технологии FBGA
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с ОЗУ DRAM
• Более высокое энергопотребление по сравнению с DRAM
• Необходимость использования большего количества контактов для параллельной шины
• Общее назначение:
• Буферизация данных в системах высокой производительности
• Хранение конфигурационной информации в сетевых устройствах
• Буферизация временных данных в серверных системах
• Поддержка быстрого доступа к данным в промышленных контроллерах
• Применение:
• Сетевые устройства (роутеры, свитчи)
• Серверные системы
• Промышленные контроллеры и системы управления
• Медицинское оборудование
• Автомобильные системы ( infotainment, ADAS)