CY7C1518KV18-300BZC

Микросхема CY7C1518KV18-300BZC от компании Cypress Semiconductor Corp:

• Тип: SRAM (Синхронная память с разрядом)
• Объем: 72 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Количество битов на шине: 16 бит
• Форм-фактор: 165_FBGA (165-пиновый монтажный пакет)

Основные параметры:

• Частота работы: 183 МГц
• Входное напряжение: 1,8 В
• Потребляемая мощность: 1,4 Вт
• Шифрование данных: Да (PAR - Parity Check)

Преимущества:

• Высокая скорость: Высокая рабочая частота обеспечивает быструю передачу данных.
• Надежность: Использование SRAM обеспечивает надежную работу без потери данных при питании.
• Шифрование: Встроенный функционал проверки четности обеспечивает защиту данных.

Недостатки:

• Высокое энергопотребление: Для высокоскоростных операций требуется значительная мощность.
• Цена: Стоимость может быть выше по сравнению с менее сложными типами памяти.

Общее назначение:

• Буферизация данных
• Кэширование информации
• Хранение временных данных в системах обработки сигналов

Применяется в:

• Производственных системах управления
• Автомобильных системах
• Системах сетевого оборудования
• Вычислительных системах