Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG4413LSS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13
;
DMG4413LSS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 9043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    291 ₽
  • 10
    185 ₽
  • 500
    96 ₽
  • 2500
    87 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4866DY-T1-E3MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
    585Кешбэк 87 баллов
    SI7137DP-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
    591Кешбэк 88 баллов
    SUM60N10-17-E3MOSFET N-CH 100V 60A TO263
    597Кешбэк 89 баллов
    SI7370DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
    599Кешбэк 89 баллов
    SI7892BDP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
    602Кешбэк 90 баллов
    IRFS11N50APBFMOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
    602Кешбэк 90 баллов
    SI7141DP-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
    608Кешбэк 91 балл
    SI7370DP-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
    612Кешбэк 91 балл
    SIHF12N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO220
    614Кешбэк 92 балла
    IRFBF30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
    614Кешбэк 92 балла
    IRF730STRLPBFMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
    620Кешбэк 93 балла
    IRF840ASTRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
    622Кешбэк 93 балла
    IRFDC20PBFMOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
    622Кешбэк 93 балла
    SIR826DP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
    634Кешбэк 95 баллов
    SIHB12N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
    636Кешбэк 95 баллов
    IRFI9520GPBFMOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3
    638Кешбэк 95 баллов
    SIHF6N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 7A TO220
    652Кешбэк 97 баллов
    IRF840LCLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
    666Кешбэк 99 баллов
    SUD50P10-43L-GE3MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
    672Кешбэк 100 баллов
    SI7148DP-T1-E3MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
    686Кешбэк 102 балла
    SIHP20N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
    694Кешбэк 104 балла
    IRF644SPBFMOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
    694Кешбэк 104 балла
    IRF840STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
    700Кешбэк 105 баллов
    SI7172DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
    702Кешбэк 105 баллов
    IRFBE30LPBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
    708Кешбэк 106 баллов
    SIR872DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
    710Кешбэк 106 баллов
    SI7846DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
    718Кешбэк 107 баллов
    SIHF15N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 15A TO220
    718Кешбэк 107 баллов
    SIHF12N60E-E3MOSFET N-CH 600V 12A TO220
    718Кешбэк 107 баллов
    SIHB12N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
    722Кешбэк 108 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП