Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG4413LSS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13
;
DMG4413LSS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 297.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 9043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    297 ₽
  • 10
    188 ₽
  • 500
    98 ₽
  • 2500
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 297.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFH5110TRPBFMOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
    413Кешбэк 61 балл
    IPD65R600E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
    427Кешбэк 64 балла
    IRFSL7730PBFMOSFET N-CH 75V 195A TO262
    428Кешбэк 64 балла
    BSZ013NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
    432Кешбэк 64 балла
    AUIRLR3410TRLMOSFET N-CH 100V 17A DPAK
    441Кешбэк 66 баллов
    IPB80N04S404ATMA1MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
    445Кешбэк 66 баллов
    IPB80N04S4L04ATMA1MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFH7787TRPBFMOSFET N-CH 75V 68A PQFN
    461Кешбэк 69 баллов
    IPA60R190E6XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
    534Кешбэк 80 баллов
    IPP086N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
    541Кешбэк 81 балл
    IPA60R385CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
    563Кешбэк 84 балла
    BSC100N10NSFGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
    568Кешбэк 85 баллов
    IRFB3407ZPBFMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
    598Кешбэк 89 баллов
    AUIRLR120NTRLMOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    604Кешбэк 90 баллов
    IPP65R190C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
    636Кешбэк 95 баллов
    IRFP4668PBFMOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
    643Кешбэк 96 баллов
    SPA11N65C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
    650Кешбэк 97 баллов
    IRFP4768PBFMOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
    661Кешбэк 99 баллов
    AUIRF3205ZТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    668Кешбэк 100 баллов
    AUIRFR2905ZTRLMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    675Кешбэк 101 балл
    IPD70N10S3L12ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
    675Кешбэк 101 балл
    IRF7748L1TRPBFMOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
    718Кешбэк 107 баллов
    IRF8301MTRPBFMOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
    732Кешбэк 109 баллов
    IRF2804STRL7PPMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    777Кешбэк 116 баллов
    SPA11N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    777Кешбэк 116 баллов
    IPB70N10S3L12ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
    782Кешбэк 117 баллов
    SPW20N60CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
    786Кешбэк 117 баллов
    IRF1310NSPBFHEXFET POWER MOSFET
    796Кешбэк 119 баллов
    IRFP4127PBFMOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
    802Кешбэк 120 баллов
    IRF6715MTRPBFMOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    811Кешбэк 121 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП