Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG4413LSS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13
;
DMG4413LSS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 9043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    294 ₽
  • 10
    186 ₽
  • 500
    97 ₽
  • 2500
    88 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI2347DS-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
    55Кешбэк 8 баллов
    SI1062X-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 20V SC89-3
    57Кешбэк 8 баллов
    SI1012CR-T1-GE3MOSFET N-CH 20V SC75A
    57Кешбэк 8 баллов
    SI2300DS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
    66Кешбэк 9 баллов
    SI2307CDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
    69Кешбэк 10 баллов
    SI1013CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
    72Кешбэк 10 баллов
    SI2365EDS-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
    75Кешбэк 11 баллов
    SI1442DH-T1-GE3MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
    76Кешбэк 11 баллов
    2N7002E-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
    81Кешбэк 12 баллов
    SI2305CDS-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
    82Кешбэк 12 баллов
    SI3407DV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
    86Кешбэк 12 баллов
    SI2304DDS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    SI2318CDS-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
    90Кешбэк 13 баллов
    SI3460DDV-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
    92Кешбэк 13 баллов
    TP0610K-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
    96Кешбэк 14 баллов
    IRFR210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    97Кешбэк 14 баллов
    SI1302DL-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
    99Кешбэк 14 баллов
    SI2356DS-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
    99Кешбэк 14 баллов
    SI1480DH-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
    105Кешбэк 15 баллов
    SI1308EDL-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
    106Кешбэк 15 баллов
    SI4435DDY-T1-E3MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
    107Кешбэк 16 баллов
    IRF9510PBFMOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    107Кешбэк 16 баллов
    SI1032R-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
    108Кешбэк 16 баллов
    SI1317DL-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
    109Кешбэк 16 баллов
    IRFL210TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
    110Кешбэк 16 баллов
    SI1427EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
    111Кешбэк 16 баллов
    IRLR110PBFMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
    111Кешбэк 16 баллов
    SI1443EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
    117Кешбэк 17 баллов
    SIA440DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
    117Кешбэк 17 баллов
    IRFR024PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    118Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП