Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG4413LSS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13
;
DMG4413LSS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 281.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 9043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    281 ₽
  • 10
    178 ₽
  • 500
    93 ₽
  • 2500
    84 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 281.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUF75321S3SMOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
    121Кешбэк 18 баллов
    FDD6512AMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    FDD6778AMOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    HUF75309P3MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
    123Кешбэк 18 баллов
    HUF76423D3SMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    123Кешбэк 18 баллов
    FQI2N30TUMOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
    123Кешбэк 18 баллов
    HUF76423D3MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    FQP2N50MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
    123Кешбэк 18 баллов
    FQP5N30MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3
    123Кешбэк 18 баллов
    FDU8796MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFR1208.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
    127Кешбэк 19 баллов
    FQD7N10TMMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
    129Кешбэк 19 баллов
    FDD6696MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
    131Кешбэк 19 баллов
    FDFS2P103MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
    131Кешбэк 19 баллов
    FDFS2P102MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
    131Кешбэк 19 баллов
    FDFS2P103AMOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
    131Кешбэк 19 баллов
    FQP5N50CТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
    133Кешбэк 19 баллов
    FDU6296MOSFET N-CH 30V 15A/50A IPAK
    135Кешбэк 20 баллов
    FQI5N30TUMOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
    135Кешбэк 20 баллов
    FDD8878Транзистор: MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
    139Кешбэк 20 баллов
    FDMS8692MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
    141Кешбэк 21 балл
    FDT461NMOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
    141Кешбэк 21 балл
    FQU10N20TUMOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
    141Кешбэк 21 балл
    HUF76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    141Кешбэк 21 балл
    IRFS634B_FP001MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
    141Кешбэк 21 балл
    FQI3N30TUMOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
    141Кешбэк 21 балл
    FDD6612AMOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
    142Кешбэк 21 балл
    FQI32N12V2TUMOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
    142Кешбэк 21 балл
    FDD8782MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    144Кешбэк 21 балл
    FDD6780A16.4A, 25V, 0.0086OHM, N-CHANNEL
    146Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП