Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG4413LSS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13
;
DMG4413LSS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 281.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 9043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    281 ₽
  • 10
    178 ₽
  • 500
    93 ₽
  • 2500
    84 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 281.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FQPF11N50CFMOSFET N-CH 500V 11A TO220F
    339Кешбэк 50 баллов
    FDI040N06MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
    339Кешбэк 50 баллов
    FQPF7N80CMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
    343Кешбэк 51 балл
    FDD8444LMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
    345Кешбэк 51 балл
    FQP70N08MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
    345Кешбэк 51 балл
    FDPF10N60ZUTMOSFET N-CH 600V 9A TO220F
    345Кешбэк 51 балл
    FQA12N60MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
    347Кешбэк 52 балла
    FDP2670MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
    347Кешбэк 52 балла
    HUF75842S3STMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    347Кешбэк 52 балла
    FQP4N90MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
    347Кешбэк 52 балла
    FQI27N25TUMOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
    347Кешбэк 52 балла
    FCPF260N65FL1MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
    348Кешбэк 52 балла
    FQA7N90MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
    356Кешбэк 53 балла
    FDS2070N3MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
    360Кешбэк 54 балла
    FDPF44N25TRDTUMOSFET N-CH 250V 44A TO220F
    362Кешбэк 54 балла
    FDS4080N3MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
    364Кешбэк 54 балла
    FQPF13N50CТранзистор: QFC 500V 480MOHM TO220F
    366Кешбэк 54 балла
    FDP16N50MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
    366Кешбэк 54 балла
    FDMS3008SDC29A, 30V, 0.0026OHM, N-CHANNEL,
    366Кешбэк 54 балла
    FDS3670MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC
    368Кешбэк 55 баллов
    FDS4080N7MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
    368Кешбэк 55 баллов
    FDP10N60NZMOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
    368Кешбэк 55 баллов
    FDS4072N7MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
    368Кешбэк 55 баллов
    ISL9N303AS3STMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
    372Кешбэк 55 баллов
    FQA17N40MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P
    375Кешбэк 56 баллов
    FDPF16N50UTMOSFET N-CH 500V 15A TO220F
    377Кешбэк 56 баллов
    FDS2170N3MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
    379Кешбэк 56 баллов
    FQI9N50CTUMOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
    383Кешбэк 57 баллов
    FDS4070N7MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
    385Кешбэк 57 баллов
    FDS6162N3MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
    385Кешбэк 57 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП