Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG4413LSS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13
;
DMG4413LSS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 9043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    276 ₽
  • 10
    175 ₽
  • 500
    91 ₽
  • 2500
    82 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4413LSS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена DMG4413LSS-13 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4413LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с каналом N-типа (P-Channel) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 30 В
  • Размер тока (ID(on)): 10.5 А
  • Количество выводов (Package): 8-SOP (Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая способность выдерживать напряжения до 30 В.
  • Высокий ток пропускания (10.5 А).
  • Малый размер и легкий вес благодаря использованию 8-SOP пакета.
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Только для работы с каналом N-типа, что ограничивает некоторые применения.
  • Требует дополнительного управления для работы с нагрузкой P-Channel.

Общее назначение:

  • Использование в системах регулирования напряжения.
  • Применение в электронных устройствах, требующих управления большим током.
  • Интеграция в системы питания и управления силами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Электроприборы и бытовая техника.
  • Системы управления электропитанием.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4413LSS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4965 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4413

Техническая документация

 DMG4413LSS-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFU210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
    149Кешбэк 22 балла
    IRF630PBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    150Кешбэк 22 балла
    SUD09P10-195-GE3MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
    154Кешбэк 23 балла
    SI3474DV-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
    155Кешбэк 23 балла
    IRF510PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    155Кешбэк 23 балла
    SI7615ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
    156Кешбэк 23 балла
    IRFUC20PBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
    156Кешбэк 23 балла
    IRF530PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
    157Кешбэк 23 балла
    SI4174DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
    157Кешбэк 23 балла
    IRLU110PBFMOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
    158Кешбэк 23 балла
    IRF710PBFMOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
    158Кешбэк 23 балла
    IRFU310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
    159Кешбэк 23 балла
    SI4435DDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
    162Кешбэк 24 балла
    IRFL9014TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
    166Кешбэк 24 балла
    SI2333CDS-T1-E3MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
    166Кешбэк 24 балла
    SI2308BDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
    167Кешбэк 25 баллов
    IRFU9210PBFMOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
    167Кешбэк 25 баллов
    SI5419DU-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
    168Кешбэк 25 баллов
    SIS413DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
    168Кешбэк 25 баллов
    SI8487DB-T1-E1MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
    168Кешбэк 25 баллов
    SIA441DJ-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
    169Кешбэк 25 баллов
    SUD19P06-60-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
    171Кешбэк 25 баллов
    IRFR224PBFMOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
    171Кешбэк 25 баллов
    SI3440DV-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
    173Кешбэк 25 баллов
    IRF630SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    174Кешбэк 26 баллов
    SI7121ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
    175Кешбэк 26 баллов
    SI3458BDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
    178Кешбэк 26 баллов
    IRLR120TRPBFMOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    IRFBF20SPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
    180Кешбэк 27 баллов
    IRFU320PBFMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
    180Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП