Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN1019USN-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

DMN1019USN-7
;
DMN1019USN-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1019USN-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59Все характеристики

Минимальная цена DMN1019USN-7 при покупке от 1 шт 112.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1019USN-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1019USN-7

DMN1019USN-7 — это MOSFET N-канальный транзистор с напряжением питания до 12В и током 9.3А. Модель SC59 указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение питания: до 12В
    • Ток: 9.3А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Корпус: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малые потери при работе
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Нужна правильная защита от обратного напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных схем от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления электропитанием
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1019USN-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50.6 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2426 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    680mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-59-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMN1019

Техническая документация

 DMN1019USN-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 100 шт
    в наличии
  • 23114 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    112 ₽
  • 100
    44 ₽
  • 1000
    30 ₽
  • 6000
    22.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1019USN-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59Все характеристики

Минимальная цена DMN1019USN-7 при покупке от 1 шт 112.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1019USN-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1019USN-7

DMN1019USN-7 — это MOSFET N-канальный транзистор с напряжением питания до 12В и током 9.3А. Модель SC59 указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение питания: до 12В
    • Ток: 9.3А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Корпус: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малые потери при работе
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Нужна правильная защита от обратного напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных схем от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления электропитанием
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1019USN-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50.6 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2426 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    680mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-59-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMN1019

Техническая документация

 DMN1019USN-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PHP23NQ11T,127MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
    640Кешбэк 96 баллов
    PSMN6R5-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    650Кешбэк 97 баллов
    BUK764R4-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    657Кешбэк 98 баллов
    PHP20NQ20T,127MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB
    661Кешбэк 99 баллов
    PSMN015-100P,127MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
    663Кешбэк 99 баллов
    PSMN008-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    676Кешбэк 101 балл
    PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
    680Кешбэк 102 балла
    BUK964R4-40B,118MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    690Кешбэк 103 балла
    BUK763R9-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    693Кешбэк 103 балла
    PSMN5R0-80BS,118MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    695Кешбэк 104 балла
    PSMN5R6-100BS,118MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
    718Кешбэк 107 баллов
    BUK7240-100A,118MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
    738Кешбэк 110 баллов
    BUK765R0-100E,118MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    741Кешбэк 111 баллов
    BUK963R3-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    745Кешбэк 111 баллов
    PSMN3R0-60PS,127MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    766Кешбэк 114 баллов
    BUK763R1-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    771Кешбэк 115 баллов
    PSMN7R6-100BSEJMOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
    775Кешбэк 116 баллов
    PSMN1R1-40BS,118MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    807Кешбэк 121 балл
    PSMN2R6-60PSQMOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
    819Кешбэк 122 балла
    PSMN1R8-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    834Кешбэк 125 баллов
    PSMN2R8-80BS,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    834Кешбэк 125 баллов
    BUK762R6-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    836Кешбэк 125 баллов
    BUK962R5-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    847Кешбэк 127 баллов
    PSMN2R0-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    849Кешбэк 127 баллов
    PHB191NQ06LT,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    855Кешбэк 128 баллов
    BUK964R2-80E,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    868Кешбэк 130 баллов
    PSMN4R6-60PS,127Транзистор: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    880Кешбэк 132 балла
    PSMN004-60B,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    887Кешбэк 133 балла
    PSMN013-100BS,118MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
    895Кешбэк 134 балла
    PSMN005-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    912Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП